GaN/Al2O3（0001）大晶格失配异质结构的PAMOCVD外延生长
| 1 绪论 | 第1-19页 |
| ·概述 | 第7-8页 |
| ·GaN基材料的研究动态 | 第8-10页 |
| ·GaN基材料的特性 | 第10-14页 |
| ·GaN晶体结构的特性和物理性质 | 第10-12页 |
| ·化学性质 | 第12-13页 |
| ·GaN的光学特性 | 第13页 |
| ·GaN的电学特性 | 第13-14页 |
| ·GaN基材料的器件应用 | 第14-16页 |
| ·蓝光发光器件 | 第14-15页 |
| ·高频高功率电子器件 | 第15页 |
| ·紫外探测器 | 第15-16页 |
| ·高温电子器件 | 第16页 |
| ·GaN的发展前景 | 第16-17页 |
| ·论文选题依据及意义 | 第17-18页 |
| ·论文主要工作 | 第18-19页 |
| 2 薄膜生长理论 | 第19-24页 |
| ·薄膜的成核原理 | 第19-22页 |
| ·外延单晶薄膜生长类型 | 第22-23页 |
| ·岛状生长模式 | 第22页 |
| ·层状生长模式 | 第22页 |
| ·混合生长模式 | 第22-23页 |
| ·小结 | 第23-24页 |
| 3 实验设备和材料分析技术 | 第24-33页 |
| ·实验设备及原理 | 第24-27页 |
| ·低压等离子体辅助化学气相沉积原理 | 第24页 |
| ·ESPD-U中低温等离子体的产生及特点 | 第24-26页 |
| ·ESPD-U-PAMOCVD的总体结构及其特征 | 第26-27页 |
| ·红外测温系统的工作原理 | 第27-28页 |
| ·材料的分析手段 | 第28-32页 |
| ·高能电子衍射仪 | 第28-30页 |
| ·电子衍射原理 | 第29页 |
| ·RHEED的应用 | 第29-30页 |
| ·本实验室的RHEED装置 | 第30页 |
| ·X射线衍射 | 第30-31页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第31-32页 |
| ·小结 | 第32-33页 |
| 4 实验结果及讨论 | 第33-53页 |
| ·衬底、镓源和氮源的选择 | 第33-36页 |
| ·衬底材料的选择 | 第33-34页 |
| ·镓源的选择 | 第34-36页 |
| ·氮源的选择 | 第36页 |
| ·清洗实验 | 第36-41页 |
| ·衬底的化学清洗 | 第36-37页 |
| ·等离子清洗的工艺 | 第37-41页 |
| ·温度对等离子清洗效果的影响 | 第39-40页 |
| ·时间对等离子清洗效果的影响 | 第40-41页 |
| ·微波功率对氢氮混合等离子体清洗的影响 | 第41页 |
| ·小结 | 第41页 |
| ·氮化实验 | 第41-46页 |
| ·氮化的温度和时间对氮化效果的影响 | 第42-44页 |
| ·氮化的作用和氮化的程度对缓冲层生长的影响 | 第44-45页 |
| ·微波功率对氮化结果的影响 | 第45-46页 |
| ·小结 | 第46页 |
| ·低温缓冲层的生长实验 | 第46-49页 |
| ·温度对缓冲层的影响 | 第46-48页 |
| ·Ⅴ/Ⅲ比对缓冲层的影响 | 第48-49页 |
| ·小结 | 第49页 |
| ·GaN外延层的生长工艺 | 第49-51页 |
| ·温度对外延层生长的影响 | 第49-50页 |
| ·小结 | 第50-51页 |
| ·实验结果的讨论 | 第51-53页 |
| 5 实时监控系统的软件部分的实现及改进 | 第53-63页 |
| ·系统分析 | 第53-54页 |
| ·GaN生长工艺特点 | 第53页 |
| ·系统需要实现的功能 | 第53-54页 |
| ·系统硬件部分的设计 | 第54-55页 |
| ·通信协议设计 | 第55-56页 |
| ·系统程序设计 | 第56-63页 |
| ·系统的组成 | 第57-58页 |
| ·热电偶不能反映真实的生长温度问题的解决 | 第58-63页 |
| 6 总结与展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
