金属氧化物薄膜的电学特性及其在薄膜晶体管中的应用
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-22页 |
| ·引言 | 第12页 |
| ·透明导电薄膜研究背景 | 第12-14页 |
| ·透明导电薄膜发展 | 第12-13页 |
| ·几种常见的金属氧化物介绍 | 第13-14页 |
| ·高介电常数材料 | 第14-17页 |
| ·传统Si02材料问题 | 第14-16页 |
| ·高介电常数材料概述 | 第16-17页 |
| ·Ta205材料介绍 | 第17页 |
| ·薄膜晶体管研究背景 | 第17-21页 |
| ·薄膜晶体管发展 | 第17-20页 |
| ·薄膜晶体管在TFT-LCD中的应用 | 第20-21页 |
| ·本文主要研究内容及章节安排 | 第21-22页 |
| 第二章 金属氧化物薄膜的制备及表征技术 | 第22-31页 |
| ·磁控溅射技术 | 第22-26页 |
| ·磁控溅射原理 | 第22-24页 |
| ·磁控溅射设备介绍 | 第24页 |
| ·磁控溅射设备温度校正 | 第24-25页 |
| ·金属氧化物薄膜的生长 | 第25-26页 |
| ·金属氧化物薄膜特性表征技术 | 第26-31页 |
| ·X射线衍射 | 第26-27页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第27-28页 |
| ·紫外可见分光光度计 | 第28-29页 |
| ·霍尔效应测量 | 第29-31页 |
| 第三章 金属氧化物薄膜的特性研究 | 第31-46页 |
| ·In_2O_3薄膜的特性研究 | 第31-33页 |
| ·XRD测试结果及分析 | 第31-32页 |
| ·电学性质及分析 | 第32-33页 |
| ·InZnO薄膜的特性研究 | 第33-35页 |
| ·XRD测试结果及分析 | 第33-34页 |
| ·透射谱测试结果及分析 | 第34-35页 |
| ·电学性质及分析 | 第35页 |
| ·ZnSnO薄膜的特性研究 | 第35-39页 |
| ·XRD测试结果及分析 | 第35-37页 |
| ·透射谱测试结果及分析 | 第37页 |
| ·电学性质及分析 | 第37-39页 |
| ·Ta_2O_5材料制备及电学性质 | 第39-44页 |
| ·Ta_2O_5薄膜的制备 | 第39-40页 |
| ·Ta_2O_5薄膜的电学性质 | 第40-44页 |
| ·小结 | 第44-46页 |
| 第四章 薄膜晶体管的制备和性能分析 | 第46-59页 |
| ·TFT的结构和工作原理 | 第46-49页 |
| ·TFT基本结构 | 第46页 |
| ·TFT工作原理 | 第46-48页 |
| ·TFT主要性能参数 | 第48-49页 |
| ·ZnSnO-TFT的制作 | 第49-52页 |
| ·器件结构和材料选择 | 第49页 |
| ·ZnSnO-TFT工艺步骤 | 第49-52页 |
| ·ZnSnO-TFT性能分析 | 第52-58页 |
| ·SiO_2栅介质TFT | 第52-55页 |
| ·Ta_2O_5栅介质TFT | 第55-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 工作总结和展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 硕士期间发表论文 | 第68页 |
