| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 引言 | 第10-13页 |
| 1 传感器的静态特性 | 第13-21页 |
| ·传感器的输入输出特性 | 第13-15页 |
| ·线性度 | 第15-17页 |
| ·其它静态特性 | 第17-21页 |
| 2 电容式压力传感器的基本理论 | 第21-31页 |
| ·电容结构的基本理论 | 第21-26页 |
| ·单电容结构 | 第22-23页 |
| ·双电容结构 | 第23-26页 |
| ·弹性力学的基本理论 | 第26-31页 |
| ·矩形平膜 | 第27-29页 |
| ·矩形岛膜 | 第29-31页 |
| 3 硅电容式差压传感器的设计方案 | 第31-40页 |
| ·传感器尺寸的设计 | 第31-34页 |
| ·技术指标 | 第31页 |
| ·中心膜片的设计 | 第31-34页 |
| ·工艺流程的设计 | 第34-40页 |
| 4 MEMS工艺及其原理 | 第40-60页 |
| ·硅的各向异性腐蚀 | 第40-44页 |
| ·制备薄膜 | 第44-47页 |
| ·静电键合 | 第47-51页 |
| ·硅硅直接键合 | 第51-56页 |
| ·其它工艺 | 第56-60页 |
| 5 测试的结果、分析及性能的改善 | 第60-73页 |
| 6 ANSYS在硅膜片设计中的应用 | 第73-82页 |
| 结论 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-86页 |
| 在学研究成果 | 第86-87页 |
| 致谢 | 第87页 |