| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-15页 |
| 1．1 SOI材料技术 | 第8-9页 |
| 1．2 SOI功率器件 | 第9-12页 |
| 1．2．1 SOI中的隔离 | 第9-10页 |
| 1．2．2 SOI功率器件的自加热特性 | 第10页 |
| 1．2．3 SOI功率器件耐压特性 | 第10-12页 |
| 1．3 SOI功率集成电路 | 第12-13页 |
| 1．4 本文的工作 | 第13-15页 |
| 第二章 新型SOI功率器件结构 | 第15-37页 |
| 2．1 SOI器件的耐压特性 | 第15-21页 |
| 2．1．1 SOI器件的击穿机理 | 第15-18页 |
| 2．1．2 结终端技术 | 第18-21页 |
| 2．2 TSOI器件及其耐压理论 | 第21-26页 |
| 2．2．1 降场电极U形漂移区结构的耐压机理 | 第21-24页 |
| 2．2．2 模拟分析 | 第24-26页 |
| 2．2．3 高压SOI复合结构 | 第26页 |
| 2．3 ESOI器件及其耐压特性 | 第26-35页 |
| 2．3．1 ESOI结构的提出 | 第26-29页 |
| 2．3．2 基于ESOI的RESURF器件及其耐压 | 第29-32页 |
| 2．3．3 基于ESOI的槽栅器件及其耐压 | 第32-33页 |
| 2．3．4 基于ESOI的3D-RESURF器件及其耐压 | 第33-35页 |
| 2．4 小结 | 第35-37页 |
| 第三章 基于ESOI的功率开关集成电路设计 | 第37-50页 |
| 3．1 概述 | 第37-38页 |
| 3．2 输入接口电路 | 第38-42页 |
| 3．2．1 电路原理 | 第38-42页 |
| 3．2．2 仿真与分析 | 第42页 |
| 3．3 输出级及过流保护电路 | 第42-46页 |
| 3．3．1 电路原理 | 第42-45页 |
| 3．3．2 仿真与分析 | 第45-46页 |
| 3．4 反向过冲保护电路 | 第46-48页 |
| 3．4．1 电路原理 | 第46-47页 |
| 3．4．2 仿真与分析 | 第47-48页 |
| 3．5 ESD保护电路 | 第48-49页 |
| 3．5．1 电路原理 | 第48-49页 |
| 3．5．2 仿真与分析 | 第49页 |
| 3．6 小结 | 第49-50页 |
| 第四章 ESOI材料制备、工艺及版图 | 第50-60页 |
| 4．1 ESOI材料制备 | 第50-51页 |
| 4．2 基于ESOI的功率开关集成电路工艺流程 | 第51-53页 |
| 4．3 ESOI器件模型参数提取 | 第53-56页 |
| 4．2．1 PLDMOS的参数提取 | 第53-54页 |
| 4．2．2 低压MOSFET的参数提取 | 第54-56页 |
| 4．3 器件的漏电流 | 第56-57页 |
| 4．4 版图设计 | 第57-60页 |
| 4．4．1 PLDMOS的版图设计 | 第57-60页 |
| 第五章 总结 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64页 |