提要 | 第1-10页 |
第一章 前言 | 第10-28页 |
·纳米材料概述 | 第10-14页 |
·纳米薄膜概述 | 第14-17页 |
·纳米薄膜简介 | 第14页 |
·纳米薄膜的制备方法 | 第14-16页 |
·纳米薄膜的光学性能与气敏特性 | 第16页 |
·纳米薄膜的应用 | 第16-17页 |
·传感器概述 | 第17-18页 |
·半导体气敏传感器简介 | 第18-19页 |
·半导体光敏传感器简介 | 第19-22页 |
·半导体的光电效应 | 第19-21页 |
·紫外光传感器简介 | 第21-22页 |
·半导体氧化物敏感材料TiO_2简介 | 第22-26页 |
·TiO_2的晶体结构和表面状态 | 第22-24页 |
·纳米晶 TiO_2的表面修饰技术 | 第24-25页 |
·纳米 TiO气敏和光敏材料简介 | 第25-26页 |
·研究目的 | 第26-28页 |
第二章 TiO_2纳米晶材料对三甲基胺(TMA)气敏性能研究 | 第28-52页 |
·纳米晶 TiO_2的制备 | 第28-29页 |
·纳米晶 TiO_2的表征 | 第29-39页 |
·纳米晶TiO_2的差热-热重(DTA—TG)分析 | 第29-31页 |
·纳米晶TiO_2的 X-射线衍射分析(XRD) | 第31-35页 |
·纳米晶TiO_2的透射电镜分析(TEM) | 第35-37页 |
·纳米晶TiO_2的 X 射线光电子能谱(XPS)分析.. | 第37-39页 |
·气敏元件制作及待测气体的制备 | 第39-42页 |
·旁热式气敏元件制作工艺 | 第39-40页 |
·三甲胺气体(TMA)的制备 | 第40-42页 |
·元件气敏性能的测试 | 第42-50页 |
·最佳电流的确定 | 第42-43页 |
·元件气敏性能的研究 | 第43-47页 |
·不同晶型二氧化钛的气敏性能 | 第43-45页 |
·不同掺杂物对二氧化钛气敏性能的影响 | 第45-46页 |
·不同的掺杂浓度对气敏性能的影响 | 第46-47页 |
·元件的响应恢复特性 | 第47-48页 |
·元件的稳定性 | 第48-49页 |
·元件的选择性 | 第49-50页 |
·机理探讨 | 第50-51页 |
·导电机理 | 第50页 |
·敏感机理 | 第50-51页 |
·本章小结 | 第51-52页 |
第三章 TiO_2薄膜的制备及其光敏性能研究 | 第52-70页 |
·TiO_2溶胶及薄膜的制备 | 第53-54页 |
·TiO_2溶胶的制备 | 第53-54页 |
·TiO_2薄膜的制备 | 第54页 |
·基底处理 | 第54页 |
·涂膜方法 | 第54页 |
·TiO_2薄膜制备的择优过程 | 第54-58页 |
·TiO_2薄膜的表征与性能测试 | 第58-69页 |
·TiO_2薄膜的X-射线衍射分析(XRD) | 第58-62页 |
·TiO_2薄膜厚度测量 | 第62-63页 |
·TiO_2薄膜原子力显微镜分析(AFM) | 第63-65页 |
·薄膜扫描电镜照片 | 第65-66页 |
·TiO_2薄膜的紫外光谱分析(UV) | 第66-67页 |
·TiO_2薄膜光电特性的测定 | 第67-69页 |
·本章小结 | 第69-70页 |
第四章 TiO_2/NiO 复合薄膜的制备及其光敏性能研究 | 第70-89页 |
·纳米 NiO 薄膜的制备及性能研究 | 第70-77页 |
·NiO 概述 | 第70-71页 |
·NiO 溶胶和薄膜的制备 | 第71-72页 |
·NiO 溶胶的制备 | 第71-72页 |
·NiO 薄膜的制备 | 第72页 |
·NiO 薄膜的表征与性能测试 | 第72-77页 |
·前驱粉体的热分析 | 第72-73页 |
·粉末的 X-射线衍射分析 | 第73-75页 |
·NiO 薄膜SEM 照片 | 第75-76页 |
·NiO 薄膜的紫外-可见光谱 | 第76-77页 |
·TiO_2/NiO 复合薄膜的制备及光敏性能研究 | 第77-88页 |
·简介 | 第77-80页 |
·P-N结的形成 | 第77-79页 |
·PN结的单向导电性 | 第79-80页 |
·复合薄膜的制备 | 第80-81页 |
·复合薄膜的表征与测试 | 第81-88页 |
·薄膜的 XRD 谱图 | 第81-82页 |
·复合薄膜的 SEM 照片 | 第82-85页 |
·复合薄膜的 I-V 特性 | 第85-86页 |
·薄膜的紫外光谱 | 第86-87页 |
·薄膜的表面光电压测试 | 第87-88页 |
·本章小结 | 第88-89页 |
结论 | 第89-92页 |
参考文献 | 第92-113页 |
攻读博士期间发表文章 | 第113-115页 |
致谢 | 第115-116页 |
摘要 | 第116-120页 |
Abstract | 第120-125页 |