| 提要 | 第1-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-28页 |
| ·高温超导体的发展历程及其应用前景 | 第7-10页 |
| ·超导特性 | 第10-13页 |
| ·零电阻效应 | 第10页 |
| ·迈斯纳效应 | 第10-12页 |
| ·Ⅰ，Ⅱ类超导体的区分 | 第12-13页 |
| ·超导理论 | 第13-15页 |
| ·伦敦方程与BCS 理论 | 第13-14页 |
| ·关于HTS 的理论 | 第14-15页 |
| ·高温超导体YBCO 的基本性质 | 第15-16页 |
| ·YBCO 的晶体结构及电流的方向特性 | 第15-16页 |
| ·YBCO 膜的制备工艺 | 第16-21页 |
| ·YBCO 膜的原位生长方法与后处理方法 | 第16-21页 |
| ·以原位生长方法的制备方法 | 第17-20页 |
| ·脉冲激光沉积法（PLD） | 第17-18页 |
| ·电子束气相沉积 | 第18页 |
| ·磁控溅射沉积 | 第18-19页 |
| ·离子束辅助沉积法 | 第19-20页 |
| ·MOCVD 法 | 第20页 |
| ·后处理法的生长工艺 | 第20-21页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第20页 |
| ·金属有机分解(MOD） | 第20-21页 |
| ·YBCO 生长所用的衬底 | 第21-22页 |
| ·YBCO 的应用研究进展 | 第22-28页 |
| 第二章 YBCO 膜生长方法 | 第28-38页 |
| ·MOCVD 法生长YBCO 超导膜的优势 | 第28页 |
| ·生长YBCO 膜所用的源材料 | 第28-32页 |
| ·生长YBCO 膜的PhA-MOCVD 系统 | 第32-36页 |
| ·气体净化装置 | 第33页 |
| ·气体输运装置 | 第33-34页 |
| ·源供给装置 | 第34-35页 |
| ·反应室装置（附灯的装置） | 第35页 |
| ·光辅助技术的作用 | 第35-36页 |
| ·光辅助MOCVD 系统的其他附属装置 | 第36页 |
| ·变速旋转基座 | 第36页 |
| ·温控装置 | 第36页 |
| ·生长YBCO 时的生长温度及退火温度的选定 | 第36-38页 |
| 第三章 超导 YBCO 膜样品的表征方法 | 第38-43页 |
| ·晶体质量表征 | 第38-41页 |
| ·X 射线衍射 | 第38-40页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第40-41页 |
| ·电学特性表征 | 第41-43页 |
| ·临界转变温度（T_c） | 第41-42页 |
| ·临界电流密度（J_c） | 第42-43页 |
| 第四章 高晶体质量 YBCO 薄膜的制备研究 | 第43-68页 |
| ·引言 | 第43页 |
| ·生长温度对YBCO 薄膜晶体质量的影响 | 第43-53页 |
| ·生长温度对YBCO 薄膜晶格取向的影响 | 第44-52页 |
| ·生长温度对YBCO c 轴取向及膜厚度的影响 | 第52-53页 |
| ·通过优化生长条件提高YBCO 薄膜的生长速率及厚度 | 第53-62页 |
| ·源的挥发速率对膜生长速率的影响 | 第54-60页 |
| ·调节生长压强及流量提高生长速率 | 第60-62页 |
| ·杂质及衬底晶格平整度对c 轴取向的 YBCO 薄膜晶体质量的影响 | 第62-68页 |
| ·杂质对YBCO 薄膜晶体质量的影响 | 第63-66页 |
| ·衬底晶格平整度对YBCO 膜晶体质量的影响 | 第66-68页 |
| 第五章 大面积高质量的 YBCO 厚膜 | 第68-74页 |
| ·引言 | 第68页 |
| ·一英寸YBCO 厚膜的生长 | 第68-74页 |
| 结论 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-82页 |
| 摘要 | 第82-84页 |
| Abstract | 第84-86页 |
| 致谢 | 第86页 |