高功率半导体激光器腔面镀膜研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-10页 |
| §1.1 引言 | 第8页 |
| §1.2 高功率半导体激光器的发展状况 | 第8-9页 |
| §1.3 论文研究目的和内容 | 第9-10页 |
| 第二章 激光器的物理基础及基本结构 | 第10-15页 |
| §2.1 光的自发发射、受激发射与受激吸收 | 第10页 |
| §2.2 光的自发发射 | 第10-11页 |
| §2.3 光的受激发射 | 第11-12页 |
| §2.4 光的受激吸收 | 第12-13页 |
| §2.5 爱因斯坦系数关系式 | 第13-15页 |
| 第三章 半导体激光器以及其工作原理 | 第15-24页 |
| §3.1 半导体激光器 | 第15-16页 |
| §3.2 半导体激光器工作原理 | 第16-18页 |
| §3.3 半导体内量子跃迁的特点 | 第18页 |
| §3.4 异质结 | 第18-21页 |
| §3.5 双异质结半导体功率放大激光器 | 第21-24页 |
| 第四章 薄膜技术与膜系设计 | 第24-43页 |
| §4.1 薄膜的反射和透射 | 第24-31页 |
| ·单层膜的反射率 | 第26-28页 |
| ·多层膜的反射率 | 第28-31页 |
| §4.2 薄膜的吸收和散射 | 第31-32页 |
| §4.3 增透膜 | 第32-37页 |
| ·单层增透膜设计 | 第33-36页 |
| ·双层增透膜设计 | 第36-37页 |
| §4.4 高反射膜 | 第37-43页 |
| ·金属膜介绍 | 第37-38页 |
| ·金高反射膜 | 第38-39页 |
| ·全介质高反射膜 | 第39页 |
| ·高反射膜的设计 | 第39-43页 |
| 第五章 薄膜工艺 | 第43-50页 |
| §5.1 设备介绍 | 第43-48页 |
| ·真空度的介绍 | 第44页 |
| ·薄膜蒸发技术 | 第44-45页 |
| ·薄膜厚度的控制 | 第45-48页 |
| §5.2 半导体激光器腔面镀膜 | 第48-50页 |
| 结论 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
