| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| ·声表面波技术及其发展 | 第9-14页 |
| ·SAW技术的发展 | 第9-10页 |
| ·声表面波滤波器的原理 | 第10-12页 |
| ·声表面波滤波器的应用 | 第12-13页 |
| ·声表面波滤波器的发展趋势 | 第13-14页 |
| ·金刚石/压电薄膜/IDT多层膜高频SAW器件 | 第14-18页 |
| ·金刚石/压电薄膜/IDT高频SAW器件的原理和结构 | 第14-17页 |
| ·国内外研究状况 | 第17-18页 |
| ·本设计研究目的和意义 | 第18-20页 |
| 第二章 氮化硼薄膜材料的特性及制备方法 | 第20-39页 |
| ·氮化硼的结构 | 第20-21页 |
| ·氮化硼的性质和发展情况 | 第21-26页 |
| ·c-BN的性质和应用 | 第21-24页 |
| ·h-BN的性质与应用 | 第24-26页 |
| ·氮化硼的制备工艺 | 第26-34页 |
| ·溅射的基本原理 | 第27-30页 |
| ·直流辉光放电 | 第28-29页 |
| ·射频辉光放电 | 第29-30页 |
| ·磁控溅射 | 第30-31页 |
| ·射频溅射的特点 | 第31-32页 |
| ·溅射参量 | 第32-34页 |
| ·射频磁控溅射法制备氮化硼薄膜 | 第34-39页 |
| ·射频溅射系统 | 第34-35页 |
| ·衬底清洗 | 第35页 |
| ·样品制备 | 第35-36页 |
| ·溅射技术沉积薄膜的形成过程 | 第36-39页 |
| 第三章 硅衬底上沉积的氮化硼压电薄膜的表征和影响因素 | 第39-63页 |
| ·氮化硼薄膜的表征 | 第39-40页 |
| ·傅立叶红外吸收光谱仪(FTIR) | 第39页 |
| ·扫描电镜(SEM) | 第39-40页 |
| ·硅衬底上制备BN薄膜的影响因素 | 第40-63页 |
| ·溅射功率对BN薄膜的影响 | 第40-45页 |
| ·不同的硅衬底对BN薄膜形成的影响 | 第45-48页 |
| ·氮气分压比对BN薄膜形成的影响 | 第48-53页 |
| ·衬底负偏压对BN薄膜形成的影响 | 第53-58页 |
| ·工作压强对BN薄膜形成的影响 | 第58-62页 |
| ·本章总结 | 第62-63页 |
| 第四章 金刚石衬底上沉积BN薄膜 | 第63-71页 |
| ·金刚石衬底的性能 | 第63-65页 |
| ·金刚石的基本结构与性质 | 第63-64页 |
| ·金刚石衬底的测试表征 | 第64-65页 |
| ·制备与表征 | 第65-71页 |
| 第五章 总结与展望 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-75页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76页 |