槽型功率晶体管的设计
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-17页 |
| ·功率晶体管 | 第8-9页 |
| ·双极型集成器件的隔离技术 | 第9-13页 |
| ·p-n结隔离 | 第9-10页 |
| ·二氧化硅隔离 | 第10页 |
| ·深槽隔离 | 第10-13页 |
| ·结终端技术 | 第13-15页 |
| ·本文工作的背景及意义 | 第15页 |
| ·本文的主要工作 | 第15-17页 |
| 第二章 槽型功率晶体管 | 第17-27页 |
| ·双极型功率晶体管物理特点 | 第17-23页 |
| ·大注入效应 | 第18页 |
| ·基区扩展效应 | 第18-19页 |
| ·发射极电流集边效应 | 第19-20页 |
| ·基区电导调制效应 | 第20页 |
| ·二次击穿 | 第20-21页 |
| ·发热问题 | 第21-22页 |
| ·耐压能力 | 第22-23页 |
| ·槽型功率晶体管的结构 | 第23-24页 |
| ·槽型功率晶体管的结终端 | 第24-26页 |
| ·槽和结终端对管子参数的影响 | 第26-27页 |
| 第三章 槽型达林顿晶体管 | 第27-36页 |
| ·达林顿晶体管的关键参数 | 第27-32页 |
| ·电阻参数 | 第27-29页 |
| ·纵向参数 | 第29-30页 |
| ·横向参数 | 第30-32页 |
| ·槽型达林顿晶体管的结构 | 第32-35页 |
| ·基本图形结构 | 第32-33页 |
| ·槽结构 | 第33-35页 |
| ·槽型达林顿晶体管的结终端 | 第35页 |
| ·槽和结终端对达林顿晶体管参数的影响 | 第35-36页 |
| 第四章 槽型达林顿晶体管产品研制 | 第36-53页 |
| ·研制产品的设计参数 | 第36页 |
| ·初步设计 | 第36-37页 |
| ·工艺和器件仿真 | 第37-46页 |
| ·槽型隔离结终端的作用 | 第37-39页 |
| ·槽深的影响 | 第39-41页 |
| ·槽宽的影响 | 第41-43页 |
| ·绝缘层厚度的影响 | 第43-46页 |
| ·工艺流程和版图设计 | 第46-50页 |
| ·工艺流程设计 | 第46-48页 |
| ·版图设计 | 第48-50页 |
| ·测试分析结果 | 第50-53页 |
| ·击穿电压测试 | 第51页 |
| ·电流增益测试 | 第51-52页 |
| ·反向漏电流测试 | 第52页 |
| ·最大可输出功耗测试 | 第52-53页 |
| 第五章 结论 | 第53-54页 |
| 附录(仿真程序) | 第54-62页 |
| 1.工艺仿真 | 第54-61页 |
| 2.参数仿真 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-64页 |
