| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-39页 |
| ·化学修饰电极的制备 | 第11-23页 |
| ·共价键合法 | 第11-14页 |
| ·吸附法 | 第14-18页 |
| ·聚合物薄膜法 | 第18-22页 |
| ·组合法 | 第22-23页 |
| ·化学修饰电极的表征手段 | 第23-28页 |
| ·电化学方法 | 第24-27页 |
| ·显微镜测定法 | 第27-28页 |
| ·染料修饰电极 | 第28-32页 |
| ·染料电极的修饰方法 | 第29页 |
| ·染料修饰电极的性质 | 第29-30页 |
| ·染料修饰电极的最新研究 | 第30-32页 |
| ·氨基酸修饰电极 | 第32-37页 |
| ·氨基酸的结构与性质 | 第32-33页 |
| ·氨基酸修饰电极的制备 | 第33-34页 |
| ·氨基酸修饰电极的应用 | 第34-37页 |
| ·选题意义及研究计划 | 第37-39页 |
| 第二章 聚氨基黑10B/Nafion修饰电极上多巴胺的检测 | 第39-53页 |
| ·引言 | 第39-41页 |
| ·实验部分 | 第41-42页 |
| ·仪器与试剂 | 第41-42页 |
| ·修饰电极的制备 | 第42页 |
| ·结果与讨论 | 第42-52页 |
| ·电化学聚合条件的选择 | 第42-43页 |
| ·Nafion用量的选择 | 第43-45页 |
| ·修饰电极的形貌表征 | 第45-46页 |
| ·修饰电极的EIS特性 | 第46页 |
| ·修饰电极对DA的电催化氧化 | 第46-47页 |
| ·扫速的影响 | 第47-48页 |
| ·pH的影响 | 第48页 |
| ·线性范围和检测限 | 第48-50页 |
| ·重现性,稳定性 | 第50-51页 |
| ·干扰实验 | 第51页 |
| ·样品分析 | 第51-52页 |
| ·小结 | 第52-53页 |
| 第三章 聚氨基黑10B修饰电极检测维生素B_6 | 第53-66页 |
| ·引言 | 第53-55页 |
| ·实验部分 | 第55页 |
| ·仪器与试剂 | 第55页 |
| ·修饰电极的制备 | 第55页 |
| ·结果与讨论 | 第55-65页 |
| ·聚氨基黑10B薄膜厚度对维生素B_6催化的影响 | 第55-56页 |
| ·聚氨基黑10B修饰电极在0.1 mol/L HCl中的计时库仑特性 | 第56页 |
| ·聚氨基黑10B修饰电极的电化学性质 | 第56-57页 |
| ·聚氨基黑10B修饰电极对维生素B_6的伏安测定 | 第57-60页 |
| ·聚氨基黑10B修饰电极对维生素B_6的恒电位安培检测 | 第60-63页 |
| ·重现性和稳定性 | 第63-64页 |
| ·选择性 | 第64页 |
| ·样品分析 | 第64-65页 |
| ·小结 | 第65-66页 |
| 第四章 聚铬黑T修饰电极检测亚硝酸盐 | 第66-77页 |
| ·引言 | 第66-67页 |
| ·实验部分 | 第67-68页 |
| ·试剂与药品 | 第67-68页 |
| ·仪器设备 | 第68页 |
| ·电极制备 | 第68页 |
| ·结果与讨论 | 第68-75页 |
| ·亚硝酸盐在聚铬黑T修饰电极上的电化学行为 | 第68-70页 |
| ·实验条件对亚硝酸盐在修饰电极上电化学行为的影响 | 第70-72页 |
| ·安培检测亚硝酸盐 | 第72-74页 |
| ·干扰实验 | 第74-75页 |
| ·重现性和稳定性 | 第75页 |
| ·实际应用 | 第75页 |
| ·小结 | 第75-77页 |
| 第五章 聚谷氨酸修饰电极同时检测对苯二酚和邻苯二酚 | 第77-93页 |
| ·引言 | 第77-79页 |
| ·实验部分 | 第79-80页 |
| ·仪器与试剂 | 第79-80页 |
| ·电极制备 | 第80页 |
| ·结果与讨论 | 第80-91页 |
| ·电化学聚合条件的影响 | 第80-82页 |
| ·聚谷氨酸修饰电极的AFM表征 | 第82页 |
| ·聚谷氨酸修饰电极的EIS表征 | 第82-83页 |
| ·聚谷氨酸修饰电极的电化学表征 | 第83-84页 |
| ·对苯二酚和邻苯二酚在聚谷氨酸修饰电极上的电催化氧化 | 第84-86页 |
| ·支持电解质的选择 | 第86-87页 |
| ·同时检测对苯二酚和邻苯二酚 | 第87-91页 |
| ·干扰实验 | 第91页 |
| ·重现性和稳定性 | 第91页 |
| ·样品分析 | 第91页 |
| ·小结 | 第91-93页 |
| 结论 | 第93-95页 |
| 致谢 | 第95-96页 |
| 参考文献 | 第96-112页 |
| 附录 | 第112-113页 |
