| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 1 绪论 | 第11-19页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·制备陶瓷薄膜的方法概述 | 第11-15页 |
| ·真空蒸发(VE) | 第12-13页 |
| ·磁控溅射(MS) | 第13-14页 |
| ·离子束辅助沉积(IBAD) | 第14页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD) | 第14-15页 |
| ·国内外制备AlO_x、SiO_x薄膜研究现状 | 第15-17页 |
| ·本文的选题、研究背景及来源 | 第17-18页 |
| ·主要的研究内容 | 第18-19页 |
| 2 磁控溅射实验装置和基本物理过程研究 | 第19-27页 |
| ·卷绕磁控溅射镀膜机组简述 | 第19-22页 |
| ·卷绕磁控溅射镀膜机组的组成 | 第19-21页 |
| ·卷绕磁控溅射镀膜设备的特点 | 第21页 |
| ·实验过程 | 第21-22页 |
| ·实验操作步骤 | 第22-23页 |
| ·上卷 | 第22页 |
| ·开机 | 第22页 |
| ·射频PVD镀氧化硅膜 | 第22-23页 |
| ·直流PECVD镀氧化铝膜 | 第23页 |
| ·取卷 | 第23页 |
| ·等离子体在合成包装材料过程中的基本原理 | 第23-27页 |
| ·溅射机理 | 第23-24页 |
| ·辉光放电 | 第24-25页 |
| ·磁控溅射 | 第25页 |
| ·薄膜的形成过程 | 第25-27页 |
| 3 射频PVD法制备SiO_x薄膜及其性能研究 | 第27-41页 |
| ·射频PVD法制备SiO_x薄膜 | 第27页 |
| ·薄膜检测设备介绍 | 第27-28页 |
| ·工艺参数的分析 | 第28-30页 |
| ·镀膜时间 | 第29页 |
| ·电源功率 | 第29页 |
| ·氩气压强 | 第29页 |
| ·本底真空度 | 第29页 |
| ·工艺参数的选择 | 第29-30页 |
| ·沉积时间对薄膜性能的影响 | 第30-32页 |
| ·透氧率、透湿率分析 | 第30-32页 |
| ·SEM分析 | 第32页 |
| ·溅射功率对薄膜性能的影响 | 第32-37页 |
| ·FTIR分析 | 第32-34页 |
| ·透氧率、透湿率分析 | 第34-35页 |
| ·SEM分析 | 第35-36页 |
| ·力学性能分析 | 第36-37页 |
| ·氩气压强对薄膜性能的影响 | 第37-40页 |
| ·透氧率、透湿率分析 | 第37-38页 |
| ·力学性能分析 | 第38-39页 |
| ·微波性能分析 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 4 直流PECVD法制备AlO_x薄膜及其性能研究 | 第41-53页 |
| ·直流PECVD法制备AlO_x薄膜 | 第41页 |
| ·工艺参数的分析 | 第41-44页 |
| ·直流电流 | 第41-42页 |
| ·氩气流量 | 第42页 |
| ·氧气流量 | 第42-43页 |
| ·沉积时间 | 第43页 |
| ·工艺参数的选择 | 第43-44页 |
| ·沉积时间对薄膜性能的影响 | 第44-46页 |
| ·透氧率、透湿率分析 | 第44页 |
| ·SEM分析 | 第44-46页 |
| ·直流电流对薄膜性能的影响 | 第46-48页 |
| ·FTIR分析 | 第46-47页 |
| ·透氧率、透湿率分析 | 第47页 |
| ·SEM分析 | 第47-48页 |
| ·气体流量对薄膜性能的影响 | 第48-52页 |
| ·FTIR分析 | 第48-49页 |
| ·透氧率、透湿率分析 | 第49-50页 |
| ·力学性能分析 | 第50-51页 |
| ·微波性能分析 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 结论 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
| 附录 | 第57-60页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |