| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-20页 |
| 1.1 薄膜晶体管的基本概念 | 第8-9页 |
| 1.1.1 薄膜晶体管的结构 | 第8页 |
| 1.1.2 薄膜晶体管的主要性能参数 | 第8-9页 |
| 1.2 薄膜晶体管的主要类型及各自特点 | 第9-12页 |
| 1.2.1 氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜晶体管 | 第10页 |
| 1.2.2 多晶硅(p-Si)薄膜晶体管 | 第10-11页 |
| 1.2.3 有机物薄膜晶体管 | 第11页 |
| 1.2.4 氧化物半导体薄膜晶体管 | 第11-12页 |
| 1.3 薄膜晶体管的应用 | 第12-14页 |
| 1.3.1 薄膜晶体管在LCD方面的应用 | 第12-13页 |
| 1.3.2 薄膜晶体管在OLED方面的应用 | 第13-14页 |
| 1.3.3 薄膜晶体管在传感器的应用 | 第14页 |
| 1.4 薄膜晶体管的发展历程及现状 | 第14-18页 |
| 1.5 课题的研究内容及主要思路 | 第18-20页 |
| 第2章 制备技术与表征方法 | 第20-28页 |
| 2.1 实验材料 | 第20-21页 |
| 2.2 制备技术 | 第21-25页 |
| 2.2.1 低温磁控溅射技术 | 第22页 |
| 2.2.2 化学气相沉积技术 | 第22-23页 |
| 2.2.3 离子注入和退火 | 第23页 |
| 2.2.4 薄膜的图案化 | 第23-25页 |
| 2.3 表征方法和测量仪器 | 第25-26页 |
| 2.3.1 材料厚度 | 第25页 |
| 2.3.2 材料表面形貌 | 第25页 |
| 2.3.3 器件性能 | 第25-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-28页 |
| 第3章 柔性氧化物底栅薄膜晶体管的结构分析及版图设计 | 第28-38页 |
| 3.1 柔性氧化物底栅薄膜晶体管的结构分析 | 第28-30页 |
| 3.2 柔性氧化物底栅薄膜晶体管的版图设计 | 第30-36页 |
| 3.2.1 离子注入的版图设计 | 第30-33页 |
| 3.2.2 干法刻蚀的版图设计 | 第33-35页 |
| 3.2.3 金属淀积的版图设计 | 第35-36页 |
| 3.3 本章小结 | 第36-38页 |
| 第4章 柔性氧化物底栅薄膜晶体管的工艺制作 | 第38-56页 |
| 4.1 离子注入和退火的工艺实现 | 第38-43页 |
| 4.1.1 离子注入和退火的工艺操作 | 第38-40页 |
| 4.1.2 退火问题及解决方案 | 第40-43页 |
| 4.2 刻蚀工艺的实现 | 第43-47页 |
| 4.2.1 刻蚀的工艺操作 | 第43-45页 |
| 4.2.2 干法刻蚀问题及解决方案 | 第45-46页 |
| 4.2.3 湿法刻蚀问题及解决方案 | 第46-47页 |
| 4.3 薄膜工艺的实现 | 第47-51页 |
| 4.3.1 薄膜转移的工艺操作 | 第47-48页 |
| 4.3.2 介电薄膜问题及解决方案 | 第48-49页 |
| 4.3.3 硅薄膜转移问题及解决方案 | 第49-51页 |
| 4.4 lift off工艺的实现 | 第51-53页 |
| 4.4.1 lift off工艺的操作 | 第51-52页 |
| 4.4.2 lift off工艺问题及解决方案 | 第52-53页 |
| 4.5 本章小结 | 第53-56页 |
| 第5章 柔性氧化物底栅薄膜晶体管电学性能测量 | 第56-66页 |
| 5.1 薄膜晶体管的工作机理 | 第56-58页 |
| 5.2 器件测量的结构原理 | 第58-59页 |
| 5.3 器件的直流特性分析 | 第59-64页 |
| 5.3.1 器件在平态下的电学性能 | 第59-62页 |
| 5.3.2 器件在弯曲态下的电学性能 | 第62-64页 |
| 5.4 本章小结 | 第64-66页 |
| 第6章 总结和展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74页 |