| 摘要 | 第6-8页 |
| abstract | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 研究现状 | 第11-14页 |
| 1.3 研究内容 | 第14-16页 |
| 第二章 研究方法及理论基础 | 第16-24页 |
| 2.1 基态密度泛函理论介绍 | 第16-20页 |
| 2.1.1 Thomas-Fermi模型 | 第16-18页 |
| 2.1.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第18页 |
| 2.1.3 Kohn-Sham方程 | 第18-20页 |
| 2.2 近似密度泛函 | 第20-21页 |
| 2.2.1 局域密度近似(Local Density Approximation LDA) | 第20-21页 |
| 2.2.2 广义梯度近似(Generalized Gradient Approximation GGA) | 第21页 |
| 2.3 平面波基组和赝势 | 第21-22页 |
| 2.4 Z_2拓扑不变量 | 第22-24页 |
| 第三章 二维六边形锡烯纳米面特性的研究 | 第24-32页 |
| 3.1 应力作用对锡烯电子特性的影响 | 第25-26页 |
| 3.2 电场作用对锡烯电子特性的影响 | 第26-28页 |
| 3.3 应力和电场双重作用对锡烯电子特性的影响 | 第28-29页 |
| 3.4 本章小结 | 第29-32页 |
| 第四章 不同官能团修饰下的锗烯特性的研究 | 第32-42页 |
| 4.1 官能团修饰下的单层锗烯材料电子特性的研究 | 第33-36页 |
| 4.2 以GeH为例的拓扑特性 | 第36-39页 |
| 4.3 官能团修饰下的双层锗烯材料电子特性的研究 | 第39-41页 |
| 4.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第五章 甲基修饰硅烯材料量子效应的研究 | 第42-50页 |
| 5.1 应力对单层SiCH_3材料电子特性的影响 | 第43-44页 |
| 5.2 单层SiCH_3材料的本征拓扑性质的研究 | 第44-48页 |
| 5.3 本章小结 | 第48-50页 |
| 第六章 五边形XY_2电子特性的研究 | 第50-58页 |
| 6.1 五边形XY_2材料本征性质及其稳定性的研究 | 第50-52页 |
| 6.2 应力及电场对五边形XY_2材料电子特性的研究 | 第52-54页 |
| 6.3 五边形XY_2材料光学性质的研究 | 第54-56页 |
| 6.4 本章小结 | 第56-58页 |
| 第七章 结论与展望 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-68页 |
| 致谢 | 第68-70页 |
| 附录 | 第70-71页 |
