中文摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第10-26页 |
1.1 二氧化硅基纳米粒子(SiO_2-NPs)的合成 | 第10-11页 |
1.2 无机纳米材料的物理修饰法 | 第11-12页 |
1.3 无机纳米材料的化学修饰法 | 第12-18页 |
1.3.1 “Grafting from”化学修饰法 | 第13-17页 |
1.3.2 “Grafting onto”修饰法 | 第17-18页 |
1.4 接枝纳米复合材料的界面行为 | 第18-22页 |
1.4.1 接枝纳米复合材料的分散性 | 第19-20页 |
1.4.2 接枝纳米复合材料的分子链运动和结晶性能 | 第20-22页 |
1.5 聚乙二醇(PEG)接枝纳米复合材料的应用 | 第22-23页 |
1.6 本论文立题依据和研究内容 | 第23-26页 |
1.6.1 本论文的立题依据 | 第23-24页 |
1.6.2 本论文的研究目标 | 第24页 |
1.6.3 本论文的研究内容 | 第24-26页 |
第二章 纳米二氧化硅表面接枝MPEG的可控制备 | 第26-45页 |
2.1 引言 | 第26页 |
2.2 实验部分 | 第26-30页 |
2.2.1 实验原料 | 第26-27页 |
2.2.2 Stober制备、粒径可控的SiO_2-NPs | 第27-28页 |
2.2.3 SiO_2-NPs的硅烷偶联剂改性 | 第28页 |
2.2.4 MPEG的端羟基环氧化改性 | 第28页 |
2.2.5 单峰分布MPEG-EO接枝到SiO_2-NH_2表面 | 第28-29页 |
2.2.6 双峰分布的MPEG-EO接枝到SiO_2-NH_2表面 | 第29-30页 |
2.2.7 双峰分布的MPEG-g-SiO_2/PEG复合物制备 | 第30页 |
2.3 表征及测试 | 第30-31页 |
2.4 结果与讨论 | 第31-43页 |
2.4.1 Stober法制备不同粒径SiO_2-NPs | 第31-32页 |
2.4.2 MPEG的端羟基环氧化改性 | 第32页 |
2.4.3 SiO_2-NPs的偶联剂改性 | 第32-33页 |
2.4.4 MPEG-g-SiO_2接枝高分子刷的结构 | 第33-37页 |
2.4.5 浓度调控MPEG接枝密度 | 第37-38页 |
2.4.6 溶剂化调控单峰分布MPEG接枝密度 | 第38-40页 |
2.4.7 溶剂化调控双峰分布MPEG接枝密度 | 第40-41页 |
2.4.8 接枝双峰分布MPEG的结晶性能 | 第41-42页 |
2.4.9 双峰分布接枝MPEG的形貌和分散性 | 第42-43页 |
2.5 本章小结 | 第43-45页 |
第三章 纳米二氧化硅表面接枝MPEG的结晶行为 | 第45-60页 |
3.1 引言 | 第45-46页 |
3.2 实验部分 | 第46-48页 |
3.2.1 原料 | 第46页 |
3.2.2 样品的制备方法 | 第46页 |
3.2.3 测试方法 | 第46-48页 |
3.3 结果与讨论 | 第48-58页 |
3.3.1 接枝MPEG的非等温结晶行为 | 第48-49页 |
3.3.2 接枝MPEG的等温结晶行为 | 第49-50页 |
3.3.3 接枝MPEG的自成核行为 | 第50-52页 |
3.3.4 接枝MPEG的构象特征 | 第52-53页 |
3.3.5 MPEG构象的温度效应 | 第53-55页 |
3.3.6 接枝MPEG与SiO_2界面相互作用 | 第55-58页 |
3.4 本章小结 | 第58-60页 |
第四章 总结与展望 | 第60-62页 |
4.1 全文总结 | 第60-61页 |
4.2 研究展望 | 第61-62页 |
参考文献 | 第62-75页 |
文章发表与录用情况 | 第75-76页 |
致谢 | 第76页 |