近红外半导体激光器内置光栅技术研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 半导体激光器内置光栅技术简介 | 第8-12页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3.1 国外研究现状 | 第12-13页 |
| 1.3.2 国内研究现状 | 第13-14页 |
| 1.4 论文主要研究内容和结构安排 | 第14-15页 |
| 1.4.1 论文研究内容 | 第14页 |
| 1.4.2 论文结构安排 | 第14-15页 |
| 第二章 亚波长光栅 | 第15-27页 |
| 2.1 亚波长光栅理论分析 | 第15-23页 |
| 2.1.1 严格耦合波法 | 第15-19页 |
| 2.1.2 等效介质理论 | 第19-23页 |
| 2.2 976NM亚波长增透光栅设计 | 第23-26页 |
| 2.2.1 光栅周期 | 第23-24页 |
| 2.2.2 光栅占空比 | 第24页 |
| 2.2.3 光栅脊高 | 第24-26页 |
| 2.3 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 高折射率差光栅 | 第27-38页 |
| 3.1 高折射率差光栅理论分析 | 第27-31页 |
| 3.1.1 光波传输矩阵解析法 | 第27-31页 |
| 3.2 1550NM高折射率差高反射率光栅设计 | 第31-37页 |
| 3.2.1 光栅周期和脊高 | 第32-33页 |
| 3.2.2 光栅周期 | 第33-34页 |
| 3.2.3 光栅脊高 | 第34-35页 |
| 3.2.4 光栅占空比 | 第35-37页 |
| 3.3 本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 二阶布拉格光栅 | 第38-43页 |
| 4.1 二阶布拉格光栅理论分析 | 第38-41页 |
| 4.1.1 耦合波分析法 | 第38-41页 |
| 4.2 976NM二阶布拉格光栅设计 | 第41-42页 |
| 4.2.1 光栅占空比 | 第41-42页 |
| 4.2.2 光栅槽深 | 第42页 |
| 4.3 本章小结 | 第42-43页 |
| 第五章 光栅制备工艺研究 | 第43-57页 |
| 5.1 光栅制备基本流程 | 第43页 |
| 5.2 光栅制备关键工艺研究 | 第43-53页 |
| 5.2.1 光栅的表面预处理工艺 | 第43-44页 |
| 5.2.2 光刻胶涂覆工艺 | 第44-46页 |
| 5.2.3 光刻工艺 | 第46-51页 |
| 5.2.4 刻蚀工艺 | 第51-53页 |
| 5.3 光栅制备工艺流程优化 | 第53-56页 |
| 5.3.1 表面镀硬掩模 | 第53-55页 |
| 5.3.2 光刻 | 第55页 |
| 5.3.3 ICP刻蚀 | 第55-56页 |
| 5.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第六章 总结 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 攻读硕士学位期间所完成的学术成果 | 第62页 |
