掺杂ZnO和In2O3的第一性原理研究
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-25页 |
| 1.1 ZnO的结构与性质 | 第12-15页 |
| 1.1.1 ZnO的晶体结构 | 第12-14页 |
| 1.1.2 ZnO的能带结构 | 第14-15页 |
| 1.1.3 ZnO的电、光学性质 | 第15页 |
| 1.2 ZnO材料的缺陷 | 第15-17页 |
| 1.2.1 ZnO的本征缺陷 | 第16-17页 |
| 1.2.2 ZnO的杂质缺陷 | 第17页 |
| 1.3 ZnO材料的应用 | 第17-20页 |
| 1.3.1 紫外受激发射 | 第17-18页 |
| 1.3.2 透明导电属性 | 第18-19页 |
| 1.3.3 气敏特性 | 第19页 |
| 1.3.4 稀磁掺杂 | 第19-20页 |
| 1.3.5 压电特性 | 第20页 |
| 1.4 In_2O_3的结构与性质 | 第20-21页 |
| 1.4.1 In_2O_3材料的基本性质 | 第20-21页 |
| 1.4.2 In_2O_3材料的晶体结构 | 第21页 |
| 1.5 In_2O_3材料的光学、电学与气敏特性 | 第21-22页 |
| 1.5.1 光学性质 | 第21-22页 |
| 1.5.2 电学性质 | 第22页 |
| 1.5.3 气敏性质 | 第22页 |
| 1.6 In_2O_3材料的缺陷 | 第22-23页 |
| 1.7 In_2O_3材料的应用 | 第23-24页 |
| 1.7.1 CO气体传感器 | 第23页 |
| 1.7.2 O_2传感器 | 第23-24页 |
| 1.8 本文主要研究内容 | 第24-25页 |
| 第2章 第一性原理计算方法 | 第25-31页 |
| 2.1 第一性原理 | 第25页 |
| 2.2 量子力学基础 | 第25-28页 |
| 2.2.1 绝热近似 | 第25-26页 |
| 2.2.2 Hartee-Fock近似 | 第26-28页 |
| 2.3 密度泛函理论 | 第28-29页 |
| 2.4 交换关联能泛函的求解 | 第29-31页 |
| 2.4.1 LDA | 第29-30页 |
| 2.4.2 GGA | 第30-31页 |
| 第3章 本征氧缺陷对ZnO体系电子结构的影响 | 第31-49页 |
| 3.1 模型结构和计算参数设置 | 第31-36页 |
| 3.1.1 模型结构 | 第31-35页 |
| 3.1.2 计算参数设置 | 第35-36页 |
| 3.2 氧缺陷对ZnO结构变化的影响 | 第36-39页 |
| 3.3 氧缺陷对ZnO电子结构的影响 | 第39-44页 |
| 3.3.1 ZnO的电子结构 | 第39-41页 |
| 3.3.2 氧缺陷体系的电子结构 | 第41-44页 |
| 3.4 本征氧缺陷对ZnO体系光学性质的影响 | 第44-47页 |
| 3.5 小结 | 第47-49页 |
| 第4章 Mo掺杂的In_2O_3调制铁磁性的研究 | 第49-63页 |
| 4.1 模型结构和计算参数设置 | 第49-50页 |
| 4.1.1 氧化铟晶体结构 | 第49-50页 |
| 4.1.2 计算参数设置 | 第50页 |
| 4.2 MoIn体系铁磁性研究 | 第50-52页 |
| 4.3 两个Mo原子掺杂体系铁磁性研究 | 第52-57页 |
| 4.4 Vo对体系铁磁性调控作用的研究 | 第57-61页 |
| 4.5 小结 | 第61-63页 |
| 第5章 结论 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
