摘要 | 第6-8页 |
ABSTRACT | 第8-9页 |
第一章 绪论 | 第13-33页 |
1.1 纳米材料 | 第13-14页 |
1.2 嵌段共聚物 | 第14-16页 |
1.2.1 嵌段共聚物的种类 | 第15页 |
1.2.2 嵌段共聚物的制备方法 | 第15-16页 |
1.3 嵌段共聚物的自组装及其应用 | 第16-21页 |
1.3.1 嵌段共聚物的微相分离以及其机理 | 第16-17页 |
1.3.2 嵌段共聚物在溶液中的自组装 | 第17-18页 |
1.3.3 嵌段共聚物薄膜自组装 | 第18页 |
1.3.4 嵌段共聚物自组装薄膜的应用 | 第18-21页 |
1.4 嵌段共聚物薄膜自组装的控制因素 | 第21-30页 |
1.4.1 溶剂选择 | 第21-23页 |
1.4.2 温度退火 | 第23-25页 |
1.4.3 溶剂退火 | 第25-28页 |
1.4.4 表面/界面因素 | 第28页 |
1.4.5 薄膜厚度 | 第28页 |
1.4.6 电场 | 第28-29页 |
1.4.7 添加其中一相均聚物 | 第29-30页 |
1.5 嵌段共聚物刻蚀技术以及硅片的刻蚀 | 第30-31页 |
1.5.1 嵌段共聚物的刻蚀技术 | 第30页 |
1.5.2 硅片刻蚀 | 第30-31页 |
1.6 本论文研究的内容和意义 | 第31-33页 |
第二章 实验材料、测试方法和仪器 | 第33-45页 |
2.1 实验材料和仪器 | 第33-36页 |
2.1.1 实验材料 | 第33-35页 |
2.1.2 实验仪器 | 第35-36页 |
2.2 嵌段共聚物PS-b-PLA薄膜的制备 | 第36-40页 |
2.2.1 硅片基底的处理 | 第36-37页 |
2.2.2 旋涂法制备薄膜 | 第37-38页 |
2.2.3 嵌段共聚物PS-b-PLA薄膜厚度的测量 | 第38页 |
2.2.4 嵌段共聚物PS-b-PLA薄膜的溶剂退火方法 | 第38-39页 |
2.2.5 嵌段共聚物PS-b-PLA薄膜的温度退火 | 第39页 |
2.2.6 嵌段共聚物薄膜的刻蚀 | 第39页 |
2.2.7 硅片的氢氟酸处理 | 第39-40页 |
2.3 嵌段共聚物薄膜的测试方法 | 第40-45页 |
2.3.1 原子力显微镜(AFM)表征 | 第40-42页 |
2.3.2 接触角测量仪表征 | 第42-43页 |
2.3.3 扫描电子显微镜(SEM)表征 | 第43页 |
2.3.4 X射线小角散射(SAXS)表征 | 第43-44页 |
2.3.5 光反射仪表征 | 第44-45页 |
第三章 嵌段共聚物PS-B-PLA薄膜自组装的结构及影响因素 | 第45-62页 |
3.1 引言 | 第45-46页 |
3.2 嵌段共聚物PS-b-PLA薄膜的制备 | 第46页 |
3.3 结果与讨论 | 第46-60页 |
3.3.1 硅片基底的修饰 | 第46-47页 |
3.3.2 硅片基底、膜厚对嵌段共聚物PS-b-PLA自组装的影响 | 第47-49页 |
3.3.3 嵌段共聚物PS-b-PLA组成对薄膜自组装的影响 | 第49-50页 |
3.3.4 嵌段共聚物溶液浓度对薄膜自组装的影响 | 第50-51页 |
3.3.5 温度退火对薄膜自组装的影响 | 第51-55页 |
3.3.6 溶剂退火对薄膜自组装的影响 | 第55-58页 |
3.3.7 均聚物PLA共混对薄膜自组装的影响 | 第58-60页 |
3.4 本章小结 | 第60-62页 |
第四章 嵌段共聚物薄膜的刻蚀及硅片的氢氟酸刻蚀 | 第62-72页 |
4.1 引言 | 第62页 |
4.2 实验部分 | 第62-63页 |
4.2.1 嵌段共聚物薄膜的制备 | 第62-63页 |
4.2.2 碱液处理嵌段共聚物薄膜 | 第63页 |
4.2.3 HF刻蚀硅片 | 第63页 |
4.3 结果与讨论 | 第63-70页 |
4.3.1 疏水基底上的PS-b-PLA薄膜自组装 | 第63-64页 |
4.3.2 碱液处理PS-b-PLA自组装薄膜 | 第64-65页 |
4.3.3 碱液处理均聚物PLA共混PS-b-PLA自组装薄膜 | 第65-67页 |
4.3.4 氢氟酸对硅片的处理 | 第67-69页 |
4.3.5 硅片的光反射率测试 | 第69-70页 |
4.4 本章小结 | 第70-72页 |
结论与展望 | 第72-74页 |
参考文献 | 第74-80页 |
附录1实验试剂和原料列表 | 第80-82页 |
附录2实验及测试所用仪器设备 | 第82-83页 |
致谢 | 第83-84页 |
硕士期间发表论文 | 第84页 |