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射频模块成型缺陷与工艺参数的关系研究

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 绪论第11-19页
    1.1 研究背景及研究意义第11-12页
        1.1.1 研究背景第11页
        1.1.2 研究意义第11-12页
    1.2 LTCC技术国内外研究现状第12-14页
    1.3 成型缺陷国内外研究现状第14-17页
        1.3.1 微通道变形第14-15页
        1.3.2 基板翘曲第15-16页
        1.3.3 层间垂直互联错位第16页
        1.3.4 芯片共晶焊空洞第16-17页
    1.4 本文主要研究内容第17-19页
第二章 微通道变形与层压工艺参数关系研究第19-45页
    2.1 射频模块概述第19页
    2.2 LTCC技术第19-22页
        2.2.1 LTCC材料特点第19-20页
        2.2.2 LTCC的工艺流程第20-22页
    2.3 层压工艺第22-23页
    2.4 微通道变形形成机制第23-25页
    2.5 微通道变形仿真分析第25-35页
        2.5.1 传热学第25-26页
        2.5.2 热-结构耦合分析第26-27页
        2.5.3 正交试验设计第27-28页
        2.5.4 有限元仿真分析第28-35页
    2.6 关系模型的建立第35-39页
        2.6.1 详细正交试验仿真第35页
        2.6.2 响应面函数法第35-38页
        2.6.3 评价函数的建立第38-39页
    2.7 关系模型实验验证第39-42页
    2.8 填充材料对微通道变形影响分析第42-44页
    2.9 本章小结第44-45页
第三章 基板翘曲与烧结工艺参数关系研究第45-60页
    3.1 烧结工艺第45-46页
    3.2 基板翘曲形成机制第46-47页
    3.3 正交试验设计第47-48页
    3.4 基板翘曲仿真分析第48-56页
        3.4.1 烧结工艺热传输原理第48-49页
        3.4.2 烧结工艺本构方程第49-50页
        3.4.3 仿真分析第50-53页
        3.4.4 仿真分析结果第53-56页
    3.5 关系模型的建立第56-58页
    3.6 关系模型的实验验证第58-59页
    3.7 本章小结第59-60页
第四章 层间垂直互联错位与烧结工艺参数关系研究第60-69页
    4.1 引言第60页
    4.2 层间垂直互联错位形成机制第60-61页
    4.3 正交试验设计第61-62页
    4.4 层间垂直互联错位仿真分析第62-64页
        4.4.1 模型的建立第62页
        4.4.2 仿真结果第62-64页
    4.5 层间垂直互联错位与烧结工艺参数关系模型的建立第64-66页
    4.6 关系模型的实验验证第66-68页
    4.7 本章小结第68-69页
第五章 芯片共晶焊空洞率与工艺参数关系研究第69-82页
    5.1 引言第69-70页
    5.2 真空共晶焊工艺过程第70-72页
    5.3 材料的选择第72-74页
        5.3.1 焊料的选择第72页
        5.3.2 薄膜金属的选择第72-73页
        5.3.3 热沉材料的选择第73-74页
    5.4 共晶焊空洞率形成机制第74-75页
    5.5 共晶焊空洞率实验第75-79页
        5.5.1 焊接曲线的优化第75-77页
        5.5.2 焊接压力对空洞率的影响第77-79页
        5.5.3 焊片大小对空洞率的影响第79页
    5.6 关系模型的建立第79-81页
    5.7 本章小结第81-82页
第六章 总结与展望第82-84页
    6.1 全文总结第82-83页
    6.2 研究展望第83-84页
致谢第84-85页
参考文献第85-89页

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