摘要 | 第3-5页 |
ABSTRACT | 第5-6页 |
第1章 绪论 | 第9-23页 |
1.1 引言 | 第9-10页 |
1.2 GaN材料的基本结构和性质 | 第10-13页 |
1.2.1 GaN及其化合物的晶体结构 | 第10-12页 |
1.2.2 GaN的能带结构和光学性质 | 第12-13页 |
1.3 GaN异质外延生长的衬底 | 第13-14页 |
1.4 GaN基LED的芯片结构 | 第14-15页 |
1.5 Si衬底GaN基LED的发展简史 | 第15-19页 |
1.6 GaN基LED存在的问题及挑战 | 第19-20页 |
1.7 文献报道中应力对于GaN基LED性能影响的综述 | 第20-22页 |
1.8 本论文的研究内容及行文安排 | 第22-23页 |
第2章 Si衬底垂直结构GaN基LED薄膜转移前后应力的变化研究 | 第23-36页 |
2.1 引言 | 第23-24页 |
2.2 实验方法 | 第24-28页 |
2.2.1 垂直结构GaN基LED薄膜两种剥离转移方式 | 第24-28页 |
2.2.2 测试方法 | 第28页 |
2.3 GaN薄膜与Si基板的键合技术 | 第28-29页 |
2.4 HRXRD分析薄膜应力 | 第29-31页 |
2.4.1 X射线衍射的基本原理及仪器 | 第29-30页 |
2.4.2 X射线衍射的仪常用的扫描方式 | 第30-31页 |
2.5 实验结果与讨论 | 第31-34页 |
2.6 本章小结 | 第34-36页 |
第3章 初始应力对Si衬底垂直结构GaN基LED光电性能影响的研究 | 第36-49页 |
3.1 引言 | 第36页 |
3.2 实验方法 | 第36-38页 |
3.3 Ⅲ族氮化物材料的极化效应 | 第38-40页 |
3.3.1 极化效应产生的原因 | 第38页 |
3.3.2 自发极化与压电极化 | 第38-40页 |
3.4 实验结果与讨论 | 第40-47页 |
3.4.1 300K变电流EL光谱分析 | 第40-41页 |
3.4.2 100K变电流EL光谱分析 | 第41-42页 |
3.4.3 室温下不同初始应力对绿光光功率的影响 | 第42-43页 |
3.4.4 不同初始应力的绿光芯片EQE对比分析 | 第43-45页 |
3.4.5 不同初始应力的绿光芯片相对IQE对比分析 | 第45-47页 |
3.5 小结 | 第47-49页 |
第4章 结论 | 第49-50页 |
致谢 | 第50-51页 |
参考文献 | 第51-55页 |