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初始应力对垂直结构GaN基LED光电性能影响的研究

摘要第3-5页
ABSTRACT第5-6页
第1章 绪论第9-23页
    1.1 引言第9-10页
    1.2 GaN材料的基本结构和性质第10-13页
        1.2.1 GaN及其化合物的晶体结构第10-12页
        1.2.2 GaN的能带结构和光学性质第12-13页
    1.3 GaN异质外延生长的衬底第13-14页
    1.4 GaN基LED的芯片结构第14-15页
    1.5 Si衬底GaN基LED的发展简史第15-19页
    1.6 GaN基LED存在的问题及挑战第19-20页
    1.7 文献报道中应力对于GaN基LED性能影响的综述第20-22页
    1.8 本论文的研究内容及行文安排第22-23页
第2章 Si衬底垂直结构GaN基LED薄膜转移前后应力的变化研究第23-36页
    2.1 引言第23-24页
    2.2 实验方法第24-28页
        2.2.1 垂直结构GaN基LED薄膜两种剥离转移方式第24-28页
        2.2.2 测试方法第28页
    2.3 GaN薄膜与Si基板的键合技术第28-29页
    2.4 HRXRD分析薄膜应力第29-31页
        2.4.1 X射线衍射的基本原理及仪器第29-30页
        2.4.2 X射线衍射的仪常用的扫描方式第30-31页
    2.5 实验结果与讨论第31-34页
    2.6 本章小结第34-36页
第3章 初始应力对Si衬底垂直结构GaN基LED光电性能影响的研究第36-49页
    3.1 引言第36页
    3.2 实验方法第36-38页
    3.3 Ⅲ族氮化物材料的极化效应第38-40页
        3.3.1 极化效应产生的原因第38页
        3.3.2 自发极化与压电极化第38-40页
    3.4 实验结果与讨论第40-47页
        3.4.1 300K变电流EL光谱分析第40-41页
        3.4.2 100K变电流EL光谱分析第41-42页
        3.4.3 室温下不同初始应力对绿光光功率的影响第42-43页
        3.4.4 不同初始应力的绿光芯片EQE对比分析第43-45页
        3.4.5 不同初始应力的绿光芯片相对IQE对比分析第45-47页
    3.5 小结第47-49页
第4章 结论第49-50页
致谢第50-51页
参考文献第51-55页

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