| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第一章 前言 | 第11-39页 |
| 第一节 HDDA反应研究进展 | 第11-21页 |
| 1.1.1 HDDA反应 | 第11-12页 |
| 1.1.2 HDDA反应研究进展 | 第12-21页 |
| 第二节 膦叶立德及其衍生物的研究进展 | 第21-27页 |
| 1.2.1 P-ylide的研究进展 | 第21-22页 |
| 1.2.2 P-ylides制备 | 第22-24页 |
| 1.2.3 P-ylides的应用进展 | 第24-27页 |
| 第三节 芳环甲基化和羰基化反应 | 第27-31页 |
| 1.3.1 芳环甲基化反应 | 第27-28页 |
| 1.3.2 芳环羰基化反应 | 第28-31页 |
| 第四节 苯并呋喃类衍生物的合成及研究进展 | 第31-34页 |
| 第五节 Alder-ene反应研究进展 | 第34-38页 |
| 1.5.1 Alder-ene反应 | 第34页 |
| 1.5.2 Alder-ene反应研究进展 | 第34-38页 |
| 第六节 课题设计 | 第38-39页 |
| 第二章 四炔与膦叶立德试剂构筑多官能化稠合芳烃的反应研究 | 第39-64页 |
| 第一节 研究背景 | 第39页 |
| 第二节 四炔与膦叶立德试剂构筑多官能化稠合芳烃 | 第39-40页 |
| 第三节 反应条件优化 | 第40-42页 |
| 2.3.1 加水量对反应的影响 | 第40页 |
| 2.3.2 温度对反应的影响 | 第40页 |
| 2.3.3 反应时间的选择 | 第40-41页 |
| 2.3.4 溶剂对反应的影响 | 第41页 |
| 2.3.5 PathB反应条件的优化 | 第41-42页 |
| 第四节 反应底物的适用范围 | 第42-46页 |
| 2.4.1 pathA反应底物适用范围 | 第42-43页 |
| 2.4.2 pathB反应底物适用范围 | 第43-46页 |
| 第五节 反应机理 | 第46-47页 |
| 第六节 本章小结 | 第47-48页 |
| 第七节 实验部分 | 第48-64页 |
| 2.7.1 四炔底物的合成参见先前研究 | 第49页 |
| 2.7.2 合成多官能化稠合芳烃反应的一般步骤 | 第49页 |
| 2.7.3 产物表征 | 第49-64页 |
| 第三章 四炔与膦叶立德试剂构筑多取代稠合苯并呋喃衍生物的反应研究 | 第64-86页 |
| 第一节 研究背景 | 第64页 |
| 第二节 四炔与膦叶立德试剂构筑多取代稠合苯并呋喃衍生物 | 第64-65页 |
| 第三节 反应条件优化 | 第65-67页 |
| 3.3.1 温度对反应的影响 | 第65页 |
| 3.3.2 反应时间的选择 | 第65页 |
| 3.3.3 溶剂对反应的影响 | 第65-66页 |
| 3.3.4 PathB′反应条件的优化 | 第66-67页 |
| 第四节 反应底物的适用范围 | 第67-70页 |
| 3.4.1 pathA′反应底物适用范围 | 第67-68页 |
| 3.4.2 pathB′反应底物适用范围 | 第68-70页 |
| 第五节 反应机理 | 第70-72页 |
| 第六节 本章小结 | 第72-74页 |
| 第七节 实验部分 | 第74-86页 |
| 3.7.1 四炔底物的合成参见先前研究 | 第74页 |
| 3.7.2 合成多取代稠和苯并呋喃类衍生物反应的一般步骤 | 第74-75页 |
| 3.7.3 产物表征 | 第75-86页 |
| 第四章 其它工作——苯炔与茶螺烷的Alder-ene反应 | 第86-105页 |
| 第一节 研究背景 | 第86页 |
| 第二节 四炔与茶螺烷的Alder-ene反应 | 第86页 |
| 第三节 反应条件优化 | 第86-88页 |
| 4.3.1 温度对反应的影响 | 第87页 |
| 4.3.2 反应时间的选择 | 第87页 |
| 4.3.3 溶剂对反应的影响 | 第87-88页 |
| 第四节 反应底物的适用范围 | 第88-91页 |
| 2.4.1 反应底物适用范围 | 第88-91页 |
| 第五节 反应机理 | 第91页 |
| 第六节 本章小结 | 第91-93页 |
| 第七节 实验部分 | 第93-105页 |
| 4.7.1 四炔底物的合成参见先前研究 | 第93页 |
| 4.7.2 合成多官能化稠合芳烃反应的一般步骤 | 第93页 |
| 4.7.3 产物表征 | 第93-105页 |
| 全文总结 | 第105-106页 |
| 参考文献 | 第106-113页 |
| 附录 | 第113-177页 |
| 参加项目及科研成果 | 第177-178页 |
| 致谢 | 第178页 |
