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基于0.18μmCMOS工艺的USB电源开关版图研究与设计

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-8页
目录第9-12页
第一章 绪论第12-20页
    1.1 USB 技术发展现状与前景第12-14页
    1.2 USB 电源管理系统概述第14-17页
    1.3 课题来源与目标第17页
    1.4 论文主要工作与内容安排第17-19页
    1.5 本章小结第19-20页
第二章 芯片的总体概述第20-27页
    2.1 芯片的概述第20-23页
        2.1.1 芯片的特点第20-21页
        2.1.2 芯片的应用第21-22页
        2.1.3 芯片的封装及管脚定义第22-23页
    2.2 芯片的电学参数第23-25页
    2.3 芯片的总体框架第25-26页
    2.4 本章小结第26-27页
第三章 芯片子模块的设计与仿真第27-59页
    3.1 偏置电流源的设计第27-33页
        3.1.1 带隙基准源电路的基本原理第27-28页
        3.1.2 带隙基准电压源启动电路的工作原理第28-29页
        3.1.3 基准电压和偏置电流的设计第29-30页
        3.1.4 偏置电路的仿真第30-33页
    3.2 低压锁定电路的设计第33-37页
        3.2.1 欠压保护电路的工作原理第33-34页
        3.2.2 欠压保护电路的设计第34-35页
        3.2.3 欠压保护电路的仿真和分析第35-37页
    3.3 过温保护电路的设计第37-41页
        3.3.1 常用过温保护电路及原理第37-38页
        3.3.2 过温保护电路的设计第38-39页
        3.3.3 过温保护电路的仿真和分析第39-41页
    3.4 振荡器的设计第41-45页
        3.4.1 RC 振荡器的工作原理第41-43页
        3.4.2 振荡器的电路设计第43-44页
        3.4.3 振荡器的仿真与分析第44-45页
    3.5 电荷泵第45-49页
        3.5.1 电荷泵的基本原理第45-47页
        3.5.2 两倍压电荷泵的设计第47-48页
        3.5.3 倍压电荷泵的仿真第48-49页
    3.6 过流保护第49-54页
        3.6.1 过流保护原理第49-50页
        3.6.2 过流保护电路设计第50-51页
        3.6.3 过流保护电路的仿真与分析第51-53页
        3.6.4 过流保护电路的优化设计第53-54页
    3.7 芯片总体的仿真第54-57页
        3.7.1 源电流第54-55页
        3.7.2 功率管的导通电阻第55-57页
    3.8 本章小结第57-59页
第四章 芯片版图的设计第59-81页
    4.1 工艺介绍第59-60页
    4.2 设计规则第60-66页
        4.2.1 LVNMOS 设计规则第60-62页
        4.2.2 LVPMOS 设计规则第62-63页
        4.2.3 N 阱电阻第63-64页
        4.2.4 SPNP 设计规则第64-65页
        4.2.5 HVNMOS 设计规则第65-66页
    4.3 版图设计第66-78页
        4.3.1 电源线第66-68页
        4.3.2 抗干扰问题第68-70页
        4.3.3 匹配性设计第70-72页
        4.3.4 互联线第72-73页
        4.3.5 ESD 保护电路第73-74页
        4.3.6 天线效应第74-75页
        4.3.7 闩锁效应的产生及防治措施第75-77页
        4.3.8 芯片整体版图的设计第77-78页
    4.4 设计规则检查与版图验证第78-80页
    4.5 本章小结第80-81页
第五章 测试结果分析第81-94页
    5.1 芯片测试第81-86页
    5.2 样品评估第86-88页
    5.3 ESD 和 LATCH UP测试第88-93页
    5.4 本章小结第93-94页
第六章 总结与展望第94-96页
    6.1 总结第94页
    6.2 展望第94-96页
参考文献第96-98页
致谢第98-99页
附录第99-102页
    1、图录第99-101页
    2、表录第101-102页
攻读硕士学位期间已发表的论文第102页

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