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暴露{001}晶面TiO2纳米材料的制备及气敏特性研究

摘要第3-5页
Abstract第5-6页
第一章 绪论第10-22页
    1.1 引言第10-11页
    1.2 气敏传感器第11-12页
        1.2.1 气敏传感器的概述第11页
        1.2.2 气敏传感器的分类第11-12页
    1.3 半导体金属氧化物气敏传感器第12-15页
        1.3.1 半导体金属氧化物气敏传感器概述第12页
        1.3.2 半导体金属氧化物气敏传感器性能参数简介第12-13页
        1.3.3 半导体金属氧化物气敏传感器性能影响因素第13-15页
        1.3.4 基于金属氧化物半导体的几种气敏材料第15页
    1.4 TiO_2纳米材料的概述第15-18页
        1.4.1 TiO_2的晶型结构第16-17页
        1.4.2 TiO_2的性质第17-18页
        1.4.3 TiO_2的应用领域第18页
    1.5 基于TiO_2的气敏传感器研究现状第18-19页
    1.6 本论文主要研究内容第19-22页
第二章 实验方法与分析测试方法第22-28页
    2.1 实验材料和设备第22-23页
        2.1.1 主要试剂第22页
        2.1.2 实验设备第22-23页
    2.2 材料的分析方法第23-25页
        2.2.1 X射线衍射(XRD)第23页
        2.2.2 扫描电子显微镜(SEM)分析第23页
        2.2.3 透射电子显微镜(TEM)第23页
        2.2.4 拉曼光谱测试(Rman)第23-24页
        2.2.5 Mott Schottky测量第24页
        2.2.6 X射线光电子能谱(XPS)测试第24页
        2.2.7 N_2物理-吸附脱附测试(BET)第24页
        2.2.8 ATR-FTIR 分析第24-25页
    2.3 CGS-4TP型气敏分析系统及测试步骤第25-28页
第三章 暴露001晶面的TiO_2纳米片的制备及其反常的p型气敏响应第28-44页
    3.1 引言第28-29页
    3.2 实验部分第29-30页
        3.2.1 {001}面TiO_2纳米片材料的制备过程第29-30页
        3.2.2 {001}面TiO_2纳米片材料的表征第30页
        3.2.3 {001}面TiO_2纳米片基气敏传感器件制作及性能测试第30页
    3.3 实验结果与讨论第30-41页
        3.3.1 SEM表征第30-31页
        3.3.2 XRD表征第31-32页
        3.3.3 拉曼光谱测试第32-33页
        3.3.4 TEM表征第33-34页
        3.3.5 气敏性能研究第34-36页
        3.3.6 气敏机理分析第36-41页
    3.4 本章小结第41-44页
第四章 TiO_2纳米材料的晶面依赖的p型和n型气敏响应的研究第44-68页
    4.1 引言第44-45页
    4.2 实验部分第45-47页
        4.2.1 暴露不同比例的{001}晶面TiO_2纳米材料的水热合成第45-46页
        4.2.2 TiO_2纳米材料的表征第46-47页
        4.2.3 TiO_2纳米材料基气敏传感器件的制作及性能测试第47页
    4.3 理论计算部分:基于DFT的计算模型与方法第47-48页
    4.4 实验结果与讨论第48-65页
        4.4.1 TiO_2纳米材料的XRD表征第48-49页
        4.4.2 SEM表征第49-50页
        4.4.3 TEM表征第50-52页
        4.4.4 样品晶粒尺寸的分析第52页
        4.4.5 Raman测试结果分析第52-54页
        4.4.6 BET测试结果分析第54-55页
        4.4.7 XPS测试结果分析第55-56页
        4.4.8 TiO_2纳米材料气敏性能的研究第56-61页
        4.4.9 气敏机理分析第61-65页
    4.5 本章小结第65-68页
第五章 结论与展望第68-72页
    5.1 本文总结第68-70页
    5.2 本文工作特色和创新之处第70页
    5.3 展望第70-72页
参考文献第72-82页
致谢第82-84页
攻读学位期间取得的科研成果第84页

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