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PLD制备透明氧化物IGZO薄膜光电特性的研究

摘要第4-5页
Abstract第5页
第1章 绪论第9-18页
    1.1 透明氧化物半导体薄膜的光电性能和进展第9-10页
        1.1.1 透明氧化物半导体的概念和特点第9页
        1.1.2 透明氧化物半导体的研究进展第9-10页
    1.2 薄膜晶体管(TFT)第10-13页
        1.2.1 薄膜晶体管结构原理及主要参数第10-11页
        1.2.2 薄膜晶体管研究现况第11-13页
    1.3 IGZO 薄膜晶体管的研究现状第13-15页
        1.3.1 IGZO 材料的简介第13页
        1.3.2 非晶 IGZO 薄膜组分的研究现况第13-14页
        1.3.3 非晶 IGZOTFT 稳定性的研究进展第14-15页
    1.4 薄膜制备技术第15-17页
        1.4.1 物理气相沉积第15页
        1.4.2 热蒸镀/电子束蒸发第15-16页
        1.4.3 溅射沉积第16-17页
        1.4.4 脉冲激光沉积第17页
    1.5 本论文的研究内容和意义第17-18页
第2章 非晶 IGZO 的研究第18-29页
    2.1 非晶固体材料的研究第18-21页
        2.1.1 非晶固体的形成第18页
        2.1.2 非晶态固体材料的结构特征第18-20页
        2.1.3 非晶 IGZO 结构第20页
        2.1.4 非晶固体材料的应用第20-21页
    2.2 非晶 IGZO 的电子态第21-23页
        2.2.1 无序体系的定域化第21-22页
        2.2.2 Mott 迁移率边第22页
        2.2.3 非晶半导体能带模型第22-23页
    2.3 非晶 IGZO 电子传导特性第23-28页
        2.3.1 非晶半导体电子传导特性第23-26页
        2.3.2 非晶 IGZO 导电特性第26-28页
    2.4 本章小结第28-29页
第3章 非晶 IGZO 薄膜样品的制备以及表征方法第29-37页
    3.1 IGZO 靶材的制备第29-32页
        3.1.1 各组分质量的计算第29页
        3.1.2 各组分粉末的称量第29-30页
        3.1.3 IGZO 粉末研磨第30页
        3.1.4 IGZO 靶材的压制第30-31页
        3.1.5 IGZO 靶材的烧结第31-32页
    3.2 非晶 IGZO 薄膜样品的制备第32-34页
        3.2.1 脉冲激光沉积系统第32-33页
        3.2.2 非晶 IGZO 薄膜制备程序第33-34页
    3.3 非晶 IGZO 薄膜的表征第34-36页
        3.3.1 薄膜厚度的测量第34页
        3.3.2 X 射线衍射测试第34页
        3.3.3 原子力显微镜测试第34-35页
        3.3.4 霍尔效应测试第35-36页
    3.4 本章小结第36-37页
第4章 沉积参数对于非晶 IGZO 薄膜物理性质的影响第37-52页
    4.1 薄膜厚度对非晶 IGZO 薄膜物理性质的影响第37-44页
        4.1.1 实验过程第37页
        4.1.2 实验分析第37-44页
    4.2 氧压对非晶 IGZO 薄膜物理性质的影响第44-49页
        4.2.1 实验过程第44页
        4.2.2 实验分析第44-49页
    4.3 IGZOTFT 的制备与电学性能的测试第49-51页
        4.3.1 IGZOTFT 的制备第49-50页
        4.3.2 IGZOTFT 电学性能分析第50-51页
    4.4 本章小结第51-52页
结论第52-53页
参考文献第53-58页
攻读硕士学位期间所发表学术论文第58-59页
致谢第59页

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