| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 透明氧化物半导体薄膜的光电性能和进展 | 第9-10页 |
| 1.1.1 透明氧化物半导体的概念和特点 | 第9页 |
| 1.1.2 透明氧化物半导体的研究进展 | 第9-10页 |
| 1.2 薄膜晶体管（TFT） | 第10-13页 |
| 1.2.1 薄膜晶体管结构原理及主要参数 | 第10-11页 |
| 1.2.2 薄膜晶体管研究现况 | 第11-13页 |
| 1.3 IGZO 薄膜晶体管的研究现状 | 第13-15页 |
| 1.3.1 IGZO 材料的简介 | 第13页 |
| 1.3.2 非晶 IGZO 薄膜组分的研究现况 | 第13-14页 |
| 1.3.3 非晶 IGZOTFT 稳定性的研究进展 | 第14-15页 |
| 1.4 薄膜制备技术 | 第15-17页 |
| 1.4.1 物理气相沉积 | 第15页 |
| 1.4.2 热蒸镀/电子束蒸发 | 第15-16页 |
| 1.4.3 溅射沉积 | 第16-17页 |
| 1.4.4 脉冲激光沉积 | 第17页 |
| 1.5 本论文的研究内容和意义 | 第17-18页 |
| 第2章 非晶 IGZO 的研究 | 第18-29页 |
| 2.1 非晶固体材料的研究 | 第18-21页 |
| 2.1.1 非晶固体的形成 | 第18页 |
| 2.1.2 非晶态固体材料的结构特征 | 第18-20页 |
| 2.1.3 非晶 IGZO 结构 | 第20页 |
| 2.1.4 非晶固体材料的应用 | 第20-21页 |
| 2.2 非晶 IGZO 的电子态 | 第21-23页 |
| 2.2.1 无序体系的定域化 | 第21-22页 |
| 2.2.2 Mott 迁移率边 | 第22页 |
| 2.2.3 非晶半导体能带模型 | 第22-23页 |
| 2.3 非晶 IGZO 电子传导特性 | 第23-28页 |
| 2.3.1 非晶半导体电子传导特性 | 第23-26页 |
| 2.3.2 非晶 IGZO 导电特性 | 第26-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 第3章 非晶 IGZO 薄膜样品的制备以及表征方法 | 第29-37页 |
| 3.1 IGZO 靶材的制备 | 第29-32页 |
| 3.1.1 各组分质量的计算 | 第29页 |
| 3.1.2 各组分粉末的称量 | 第29-30页 |
| 3.1.3 IGZO 粉末研磨 | 第30页 |
| 3.1.4 IGZO 靶材的压制 | 第30-31页 |
| 3.1.5 IGZO 靶材的烧结 | 第31-32页 |
| 3.2 非晶 IGZO 薄膜样品的制备 | 第32-34页 |
| 3.2.1 脉冲激光沉积系统 | 第32-33页 |
| 3.2.2 非晶 IGZO 薄膜制备程序 | 第33-34页 |
| 3.3 非晶 IGZO 薄膜的表征 | 第34-36页 |
| 3.3.1 薄膜厚度的测量 | 第34页 |
| 3.3.2 X 射线衍射测试 | 第34页 |
| 3.3.3 原子力显微镜测试 | 第34-35页 |
| 3.3.4 霍尔效应测试 | 第35-36页 |
| 3.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第4章 沉积参数对于非晶 IGZO 薄膜物理性质的影响 | 第37-52页 |
| 4.1 薄膜厚度对非晶 IGZO 薄膜物理性质的影响 | 第37-44页 |
| 4.1.1 实验过程 | 第37页 |
| 4.1.2 实验分析 | 第37-44页 |
| 4.2 氧压对非晶 IGZO 薄膜物理性质的影响 | 第44-49页 |
| 4.2.1 实验过程 | 第44页 |
| 4.2.2 实验分析 | 第44-49页 |
| 4.3 IGZOTFT 的制备与电学性能的测试 | 第49-51页 |
| 4.3.1 IGZOTFT 的制备 | 第49-50页 |
| 4.3.2 IGZOTFT 电学性能分析 | 第50-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-58页 |
| 攻读硕士学位期间所发表学术论文 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
