| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 研究背景 | 第8-10页 |
| 1.1.1 移动通信技术的发展 | 第8-9页 |
| 1.1.2 第5代移动通信发展现状 | 第9-10页 |
| 1.2 MMIC功率放大器研究现状 | 第10-11页 |
| 1.3 研究内容和设计指标 | 第11页 |
| 1.4 论文组织 | 第11-14页 |
| 第二章 功率放大器的理论基础 | 第14-32页 |
| 2.1 线性功率放大器 | 第14-20页 |
| 2.1.1 A类功率放大器 | 第14-15页 |
| 2.1.2 B类功率放大器 | 第15-17页 |
| 2.1.3 AB类功率放大器 | 第17页 |
| 2.1.4 C类功率放大器 | 第17-19页 |
| 2.1.5 线性功率放大器波形分析 | 第19-20页 |
| 2.2 开关功率放大器 | 第20-24页 |
| 2.2.1 D类功率放大器 | 第21页 |
| 2.2.2 E类功率放大器 | 第21-22页 |
| 2.2.3 F类功率放大器 | 第22-24页 |
| 2.3 功率放大器的性能参数 | 第24-29页 |
| 2.3.1 输出功率 | 第24-25页 |
| 2.3.2 功率增益 | 第25页 |
| 2.3.3 效率和功率附加效率 | 第25-26页 |
| 2.3.4 线性度 | 第26-28页 |
| 2.3.5 相邻信道泄漏比 | 第28-29页 |
| 2.3.6 矢量幅度误差 | 第29页 |
| 2.4 功率放大器设计方法学 | 第29-31页 |
| 2.4.1 负载线理论 | 第29-30页 |
| 2.4.2 设计流程 | 第30-31页 |
| 2.5 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 SiGe BiCMOS工艺28GHz功率放大器的设计 | 第32-50页 |
| 3.1 BiCMOS 8XP工艺简介 | 第32-35页 |
| 3.1.1 工艺制造 | 第32页 |
| 3.1.2 可用器件 | 第32-35页 |
| 3.2 功率放大器设计流程 | 第35-36页 |
| 3.3 SiGe BiCMOS工艺28GHz功率放大器电路设计 | 第36-44页 |
| 3.3.1 功率管选择 | 第36-37页 |
| 3.3.2 功率级电路设计 | 第37-38页 |
| 3.3.3 宽带输出匹配网络设计 | 第38-40页 |
| 3.3.4 偏置电路设计 | 第40-41页 |
| 3.3.5 稳定性设计 | 第41-43页 |
| 3.3.6 驱动级和整体级联设计 | 第43-44页 |
| 3.3.7 输入匹配设计 | 第44页 |
| 3.4 28GHz功率放大器电路完整结构 | 第44-46页 |
| 3.5 前仿真结果 | 第46-49页 |
| 3.6 本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 版图设计与后仿真 | 第50-58页 |
| 4.1 版图设计流程 | 第50-51页 |
| 4.2 功率放大器的版图设计 | 第51-53页 |
| 4.3 后仿真结果 | 第53-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-58页 |
| 第五章 28GHz功率放大器芯片测试方案 | 第58-62页 |
| 5.1 测试环境 | 第58-59页 |
| 5.2 28GHz功率放大器测试方案 | 第59-62页 |
| 5.2.1 直流测试 | 第59页 |
| 5.2.2 S参数测试 | 第59-60页 |
| 5.2.3 输出功率测试 | 第60-62页 |
| 第六章 总结和展望 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 附录: 攻读硕士期间发表的论文 | 第70页 |