高压下GaAs的电输运性质研究
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 插图目录 | 第13-15页 |
| 插表目录 | 第15-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-26页 |
| 1.1 高压物理学简介 | 第16-17页 |
| 1.2 高压实验技术 | 第17-21页 |
| 1.2.1 高压装置 | 第17-19页 |
| 1.2.2 X射线衍射 | 第19-20页 |
| 1.2.3 高压实验测量 | 第20-21页 |
| 1.3 高压电学研究意义 | 第21-23页 |
| 1.4 本论文的选题目的及意义 | 第23-26页 |
| 第二章 高压原位电学测量集成技术与测量方法 | 第26-40页 |
| 2.1 金刚石对顶砧上集成微电路 | 第26-31页 |
| 2.1.1 清洗金刚石 | 第26页 |
| 2.1.2 金属钼电极的制备 | 第26-30页 |
| 2.1.3 氧化铝薄膜绝缘保护层的制备 | 第30-31页 |
| 2.2 绝缘垫片制备和样品封装 | 第31-33页 |
| 2.3 交流阻抗谱测量方法 | 第33-36页 |
| 2.3.1 交流阻抗谱法原理 | 第34页 |
| 2.3.2 交流阻抗谱的表示方法 | 第34-36页 |
| 2.4 高压原位电阻率测量方法 | 第36-40页 |
| 2.4.1 Van der Pauw法电阻率测量 | 第37-38页 |
| 2.4.2 变温电阻率测量 | 第38-40页 |
| 第三章 高压下GaAs的电输运性质研究 | 第40-47页 |
| 3.1 样品GaAs的XRD表征 | 第40页 |
| 3.2 高压下GaAs交流阻抗谱测量 | 第40-43页 |
| 3.2.1 高压下GaAs的Nyquist阻抗谱 | 第40-42页 |
| 3.2.2 高压下GaAs的弛豫频率 | 第42-43页 |
| 3.3 高压下GaAs原位电阻率测量 | 第43-44页 |
| 3.4 高压下GaAs变温电阻率测量 | 第44-47页 |
| 第四章 GaAs的第一性原理计算 | 第47-52页 |
| 4.1 GaAs的焓计算 | 第48页 |
| 4.2 GaAs的能带结构计算 | 第48-49页 |
| 4.3 GaAs的态密度计算 | 第49-50页 |
| 4.4 GaAs的差分电荷密度计算 | 第50-52页 |
| 第五章 总结与展望 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |
| 附录A：攻读硕士期间发表的文章 | 第64-65页 |
