| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 变量注释表 | 第15-16页 |
| 1 绪论 | 第16-24页 |
| 1.1 概述 | 第16-17页 |
| 1.2 理论研究意义 | 第17-19页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第19-21页 |
| 1.4 高压物理发展 | 第21-22页 |
| 1.5 课题研究内容与目标 | 第22-24页 |
| 2 基本理论与计算方法 | 第24-32页 |
| 2.1 第一性原理方法介绍 | 第24页 |
| 2.2 密度泛函理论(DFT) | 第24-28页 |
| 2.3 相变物理机制 | 第28-29页 |
| 2.4 计算及绘图软件 | 第29页 |
| 2.5 DFT计算基本要素 | 第29-32页 |
| 3 Be Si V_2与Mg Si V_2 (V=P, As, Sb)的第一性原理研究 | 第32-44页 |
| 3.1 引言 | 第32-33页 |
| 3.2 计算方法与细节 | 第33页 |
| 3.3 结构性质 | 第33-35页 |
| 3.4 弹性性质 | 第35-38页 |
| 3.5 晶格动力学特性 | 第38-43页 |
| 3.6 小结 | 第43-44页 |
| 4 高压下Cd Sn V_2 (V=P, As, Sb)的第一性原理研究 | 第44-68页 |
| 4.1 引言 | 第44页 |
| 4.2 计算方法与细节 | 第44-45页 |
| 4.3 结构相变 | 第45-48页 |
| 4.4 电子结构 | 第48-52页 |
| 4.5 光学性质 | 第52-57页 |
| 4.6 弹性性质 | 第57-59页 |
| 4.7 晶格动力学特性 | 第59-64页 |
| 4.8 热力学性质 | 第64-66页 |
| 4.9 小结 | 第66-68页 |
| 5 结论 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-78页 |
| 作者简历 | 第78-82页 |
| 学位论文数据集 | 第82页 |