| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第12-25页 |
| 1.1 前言 | 第12页 |
| 1.2 半导体材料的发展历程及应用 | 第12-14页 |
| 1.3 GaN基材料的基本物理性质 | 第14-20页 |
| 1.3.1 晶体结构 | 第14-16页 |
| 1.3.2 电学性质 | 第16-17页 |
| 1.3.3 光学性质 | 第17页 |
| 1.3.4 能带结构和发光机制 | 第17-18页 |
| 1.3.5 LED外延结构 | 第18-20页 |
| 1.4. 本文工作和论文架构 | 第20-22页 |
| 参考文献 | 第22-25页 |
| 第二章 GaN基材料的外延、表征及仿真 | 第25-42页 |
| 2.1 金属有机物化学气相外延(MOCVD) | 第25-27页 |
| 2.2 GaN基材料表征 | 第27-33页 |
| 2.2.1 原子力显微镜 | 第28页 |
| 2.2.2 透射电子显微镜 | 第28-29页 |
| 2.2.3 扫描透射电子显微镜 | 第29-30页 |
| 2.2.4 X射线衍射 | 第30-32页 |
| 2.2.5 X射线光电子能谱 | 第32页 |
| 2.2.6 发光光谱 | 第32-33页 |
| 2.3 APSYS仿真 | 第33-39页 |
| 2.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-42页 |
| 第三章 绿光LED存在的问题及其解决方案 | 第42-58页 |
| 3.1 绿光LED存在的问题 | 第42-43页 |
| 3.2 目前的解决方案 | 第43-51页 |
| 3.2.1 表面/界面改性 | 第43-45页 |
| 3.2.2 GaN垒层掺杂 | 第45-46页 |
| 3.2.3 三元化合物或者四元化合物垒层 | 第46-48页 |
| 3.2.4 非/半极性面上生长量子阱 | 第48-50页 |
| 3.2.5 能带工程 | 第50-51页 |
| 3.3 小结 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-58页 |
| 第四章 双波长黄绿光InGaN/GaN量子阱的设计、外延与发光 | 第58-76页 |
| 4.1 引言 | 第58页 |
| 4.2 新型InGaN/GaN量子阱和传统三角阱的外延生长 | 第58-59页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第59-69页 |
| 4.3.1 新型InGaN/GaN量子阱的微观结构和组分 | 第59-63页 |
| 4.3.2 新型InGaN/GaN量子阱的发光特性和能带结构 | 第63-69页 |
| 4.4 本章小结 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-76页 |
| 第五章 总结与展望 | 第76-77页 |
| 附录 硕士期间发表和完成的论文 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78页 |
