| 摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第12-22页 |
| 1.1 纳米电子学的产生、发展及应用 | 第12-13页 |
| 1.2 纳米材料的研究进展 | 第13-17页 |
| 1.3 拟开展的研究内容 | 第17-18页 |
| 参考文献 | 第18-22页 |
| 第二章 理论计算方法 | 第22-32页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第22-25页 |
| 2.1.1 Thomas-Fermi模型 | 第22-23页 |
| 2.1.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第23-24页 |
| 2.1.3 Kohn-Sham方程 | 第24页 |
| 2.1.4 交换相关泛函 | 第24-25页 |
| 2.2 非平衡格林函数方法 | 第25-27页 |
| 2.3 体系输运性质的计算方法 | 第27-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 参考文献 | 第30-32页 |
| 第三章 界面类型对graphene/h-BN异质结输运性质的影响 | 第32-48页 |
| 3.1 引言 | 第32-33页 |
| 3.2 模型与方法 | 第33-34页 |
| 3.3 结果与分析 | 第34-43页 |
| 3.3.1 异质结的半金属性质 | 第34-37页 |
| 3.3.2 异质结的自旋输运性质 | 第37-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-48页 |
| 第四章 Fe掺杂graphene/h-BN异质结输运性质的研究 | 第48-60页 |
| 4.1 引言 | 第48-49页 |
| 4.2 模型与方法 | 第49-50页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第50-57页 |
| 4.3.1 I-V特征曲线 | 第50-52页 |
| 4.3.2 体系的整流效应分析 | 第52-54页 |
| 4.3.3 体系的NDR现象分析 | 第54-56页 |
| 4.3.4 体系的SFE效应分析 | 第56-57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |
| 第五章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 硕士期间所获奖励与参与学术活动 | 第62-64页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-68页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第68页 |