| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 半导体中的Rashba自旋轨道耦合效应 | 第11-14页 |
| 1.2.1 Rashba效应 | 第12-13页 |
| 1.2.2 Rashba效应的进展 | 第13-14页 |
| 1.3 磁晶各向异性 | 第14-15页 |
| 1.4 铁电Rashba半导体的发展 | 第15-17页 |
| 1.5 研究出发点及基本框架 | 第17-20页 |
| 1.5.1 选题出发点 | 第17-18页 |
| 1.5.2 基本框架 | 第18-20页 |
| 第二章 第一性原理计算方法 | 第20-29页 |
| 2.1 薛定谔方程和绝热近似 | 第20-21页 |
| 2.2 Hartree-Fock近似 | 第21-23页 |
| 2.3 密度泛函理论 | 第23-24页 |
| 2.3.1 Hohenberg-Kohn理论 | 第23页 |
| 2.3.2 Kohn-Sham方程 | 第23-24页 |
| 2.4 交换关联泛函 | 第24-25页 |
| 2.4.1 局域密度近似 | 第24-25页 |
| 2.4.2 广义梯度近似 | 第25页 |
| 2.5 Kohn-Sham方程的解析 | 第25-28页 |
| 2.5.1 平面波展开 | 第26页 |
| 2.5.2 赝势 | 第26-27页 |
| 2.5.3 投影缀加平面波 | 第27-28页 |
| 2.6 VASP软件包 | 第28-29页 |
| 第三章 铁电极化调控GeTe/InP的Rashba自旋劈裂 | 第29-40页 |
| 3.1 引言 | 第29-30页 |
| 3.2 模型结构与计算细节 | 第30-31页 |
| 3.3 计算结果与分析 | 第31-39页 |
| 3.3.1 铁电场调控GeTe(111)晶体 | 第31-33页 |
| 3.3.2 GeTe/InP界面电势分析 | 第33-35页 |
| 3.3.3 铁电场调控GeTe(111)/InP(111) | 第35-38页 |
| 3.3.4 铁电场调控电子自旋 | 第38-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 界面调控Fe/SrTiO_3磁晶各向异性 | 第40-49页 |
| 4.1 引言 | 第40-41页 |
| 4.2 模型结构与计算方法 | 第41-42页 |
| 4.3 计算结果与分析 | 第42-47页 |
| 4.3.1 铁电场调控Fe/SrTiO_3的磁学性质 | 第42-44页 |
| 4.3.2 态密度及电荷转移分析 | 第44-47页 |
| 4.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 第五章 总结与展望 | 第49-51页 |
| 5.1 总结 | 第49-50页 |
| 5.2 展望 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-61页 |
| 附录：攻读硕士学位期间研究成果及奖励 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
