| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 引言 | 第10-15页 |
| 1.1.1 III族氮化物材料生长技术 | 第10-12页 |
| 1.1.2 III族氮化物材料的物理性质 | 第12-15页 |
| 1.2 III族氮化物在器件中的应用和发展 | 第15-18页 |
| 1.3 课题研究意义和内容 | 第18-20页 |
| 第二章 宽禁带III族氮化物第一性原理研究 | 第20-35页 |
| 2.1 引言 | 第20页 |
| 2.2 第一性原理计算理论基础 | 第20-25页 |
| 2.2.1 基于量子力学的电子状态理论基础 | 第21-22页 |
| 2.2.2 密度泛函理论（Density Functional Theory：DFT） | 第22-23页 |
| 2.2.3 Kohn-Sham方法 | 第23-24页 |
| 2.2.4 赝势（Pseudo potential） | 第24-25页 |
| 2.2.5 平面波基底函数 | 第25页 |
| 2.3 第一性原理研究宽禁带III族氮化物 | 第25-31页 |
| 2.4 Al N/Ga N超晶格的第一性原理研究 | 第31-34页 |
| 2.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 极化诱导掺杂的研究 | 第35-53页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 极化诱导掺杂形成二维电子气 | 第35-40页 |
| 3.2.1 理论基础及计算方法 | 第35-37页 |
| 3.2.2 极化效应对Al Ga N/Ga N异质结的影响 | 第37-40页 |
| 3.3 极化效应提高宽禁带III族氮化物的掺杂效率 | 第40-52页 |
| 3.3.1 引言 | 第40-42页 |
| 3.3.2 极化诱导掺杂形成n型区 | 第42-48页 |
| 3.3.3 极化诱导掺杂形成pn结 | 第48-52页 |
| 3.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 极化效应对Al Ga N基紫外LED的影响 | 第53-67页 |
| 4.1 引言 | 第53页 |
| 4.2 silvaco软件介绍以及理论模型 | 第53-56页 |
| 4.3 极化效应对Al Ga N基紫外发光二极管的影响 | 第56-62页 |
| 4.4 N-face Al Ga N基紫外LED的设计和研究 | 第62-66页 |
| 4.5 本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章 总结和展望 | 第67-69页 |
| 5.1 总结 | 第67-68页 |
| 5.2 展望 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-76页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第76-77页 |
