| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第16-33页 |
| 1.1 研究背景 | 第16-19页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第19-23页 |
| 1.3 器件建模意义与建模流程 | 第23-26页 |
| 1.4 论文的主要内容和创新工作 | 第26-28页 |
| 参考文献 | 第28-33页 |
| 第二章 MOSFET器件栅极、源极和漏极寄生串联电阻提取技术 | 第33-76页 |
| 2.1 小信号等效电路模型拓扑 | 第33-35页 |
| 2.2 同轴校准方法与去嵌技术 | 第35-47页 |
| 2.2.1 SOLT校准方法 | 第36-40页 |
| 2.2.2 去嵌技术 | 第40-43页 |
| 2.2.3 寄生元件参数提取 | 第43-47页 |
| 2.3 栅极、源极及漏极寄生电阻物理意义 | 第47-50页 |
| 2.3.1 栅极寄生电阻物理意义 | 第47-49页 |
| 2.3.2 源极和漏极寄生电阻物理意义 | 第49-50页 |
| 2.4 寄生串联电阻提取技术研究 | 第50-59页 |
| 2.4.1 常用寄生电阻提取方法 | 第50-54页 |
| 2.4.2 改进的参数提取方法 | 第54-59页 |
| 2.5 本征参数随频率的变化 | 第59-64页 |
| 2.5.1 本征参数提取 | 第59-61页 |
| 2.5.2 本征参数随频率的变化 | 第61-64页 |
| 2.6 测量结果与模型仿真结果比较 | 第64-67页 |
| 2.7 小信号模型参数的半分析方法提取 | 第67-71页 |
| 2.8 本章小结 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 第三章 MOSFET器件小信号模型本征元件灵敏度分析 | 第76-106页 |
| 3.1 矢量网络分析仪S参数测量不确定度 | 第76-80页 |
| 3.2 灵敏度及不确定度定义 | 第80-82页 |
| 3.3 本征参数灵敏度计算 | 第82-85页 |
| 3.4 本征参数灵敏度结果分析 | 第85-90页 |
| 3.5 本征参数不确定度结果分析 | 第90-97页 |
| 3.6 蒙特卡洛数据分析 | 第97-102页 |
| 3.7 本章小结 | 第102-103页 |
| 参考文献 | 第103-106页 |
| 第四章 基于SDD的MOSFET器件非线性经验模型研究 | 第106-141页 |
| 4.1 MOSFET器件直流I-V经验模型 | 第109-117页 |
| 4.1.1 I-V经验模型公式 | 第109-110页 |
| 4.1.2 直流模型参数提取 | 第110-114页 |
| 4.1.3 直流模型结果验证与讨论 | 第114-117页 |
| 4.2 DC/AC色散效应 | 第117-126页 |
| 4.2.1 陷阱电荷和高频色散效应 | 第117-120页 |
| 4.2.2 高频色散模型 | 第120-121页 |
| 4.2.3 色散模型参数提取 | 第121-126页 |
| 4.3 MOSFET器件C-V电容模型 | 第126-128页 |
| 4.4 MOSFE非线性模型验证 | 第128-136页 |
| 4.5 本章小结 | 第136-137页 |
| 参考文献 | 第137-141页 |
| 第五章 MOSFET器件噪声参数分析表达式推导 | 第141-160页 |
| 5.1 MOSFET晶体管噪声等效电路模型 | 第142-144页 |
| 5.2 MOSFET晶体管噪声参数提取 | 第144-151页 |
| 5.2.1 噪声相关矩阵简介 | 第144-147页 |
| 5.2.2 噪声参数表达式推导 | 第147-149页 |
| 5.2.3 噪声去嵌与噪声模型参数提取 | 第149-151页 |
| 5.3 模型验证与结果分析 | 第151-155页 |
| 5.4 MOSFET器件测量环境 | 第155-157页 |
| 5.5 本章小结 | 第157-158页 |
| 参考文献 | 第158-160页 |
| 第六章 总结与展望 | 第160-163页 |
| 6.1 本文的研究工作总结 | 第160-161页 |
| 6.2 工作展望 | 第161-163页 |
| 致谢 | 第163-165页 |
| 英文名词缩写 | 第165-167页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第167-168页 |
