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谐振增强n型GaAs远红外同质结探测器的性能优化

摘要第3-5页
ABSTRACT第5-6页
目录第7-9页
第一章 绪论第9-12页
    1.1 红外探测器的意义和现状第9-10页
    1.2 红外探测器的性能参数第10-11页
    1.3 研究内容第11-12页
第二章 实验仪器第12-22页
    2.1 傅立叶光谱学及Nicolet Nexus 870 傅立叶红外光谱仪第12-19页
        2.1.1 傅立叶变换光谱学的基本原理第12-15页
        2.1.2 傅立叶变换光谱的优点第15-16页
        2.1.3 傅立叶透射/吸收光谱实验介绍第16-19页
    2.2 Keithely 2400 Series Source Meter电流/电压源表第19-20页
    2.3 本章小结第20-21页
    参考文献第21-22页
第三章 理论计算方法第22-33页
    3.1 远红外波段的介电函数第22-23页
    3.2 标量波方法第23-25页
    3.3 多层薄膜的菲涅耳系数矩阵法第25-28页
    3.4 标量波法和菲涅耳系数矩阵法的应用第28-31页
    3.5 本章小节第31-32页
    参考文献第32-33页
第四章 远红外同质结探测器的简介第33-56页
    4.1 HIWIP探测器的基本探测原理第33-34页
    4.2 HIWIP探测器的结构第34-35页
    4.3 GaAs HIWIP功函数第35-38页
    4.4 HIWIP探测过程理论模型第38-44页
    4.5 HIWIP探测器的量子效率第44页
    4.6 多周期GaAs HIWIP中碰撞离子化第44-47页
    4.7 HIWIP探测器的暗电流第47-52页
    4.8 探测器的谐振腔结构第52页
    4.9 本章小节第52-54页
    参考文献第54-56页
第五章 谐振增强GaAs同质结探测器的设计第56-71页
    5.1 研究背景第56-57页
    5.2 结果与讨论第57-69页
        5.2.1 探测器主体结构的优化第57-62页
        5.2.2 底部反射镜的讨论第62-66页
        两种底部反射镜结构的比较第66-69页
    5.3 本章小结第69-70页
    参考文献第70-71页
第六章 顶部反射镜和顶部减反膜的讨论第71-84页
    6.1 引言第71-72页
    6.2 顶部反射镜第72-77页
        6.2.1 理论模型第72-74页
        6.2.2 结果与讨论第74-77页
    6.3 减反膜第77-81页
        6.3.1 引言第77-78页
        6.3.2 经典减反膜的理论第78-79页
        6.3.3 金子塔结构第79-81页
        6.3.4 金字塔结构的减反膜在GaAs基底上的应用第81页
    6.4 本章小结第81-83页
    参考文献第83-84页
第七章 结论第84-85页
致谢第85-86页
攻读硕士学位期间已发表的论文和荣誉第86-89页
上海交通大学硕士学位论文答辩决议书第89-90页
答辩决议书第90页

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