| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-29页 |
| 1.1 半导体纳米线 | 第11-23页 |
| 1.1.1 GaN 和InN 及其异质结构纳米线的制备方法 | 第11-13页 |
| 1.1.2 调节半导体纳米线性能的方法 | 第13-18页 |
| 1.1.3 GaN 和InN 及其合金的应用 | 第18-23页 |
| 1.2 Cu 互连线 | 第23-28页 |
| 1.2.1 Cu 互连线的研究现状 | 第23-25页 |
| 1.2.2 自发形成的Al_2O_3膜对Cu 互连线性能的改善 | 第25-27页 |
| 1.2.3 Cu/Al_2O_3界面的研究 | 第27-28页 |
| 1.3 本文研究内容 | 第28-29页 |
| 第2章 计算机模拟方法 | 第29-37页 |
| 2.1 计算方法 | 第29-32页 |
| 2.2 GaN 和InN 的晶体结构和能带结构 | 第32-36页 |
| 2.3 在Dmol~3模块中电场的计算 | 第36-37页 |
| 第3章 表面修饰对GaN/InN 核壳纳米线性能的影响 | 第37-49页 |
| 3.1 引言 | 第37-38页 |
| 3.2 计算方法 | 第38-40页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第40-47页 |
| 3.4 小结 | 第47-49页 |
| 第4章 内外应变对GaN/InN 核壳纳米线性能的影响 | 第49-61页 |
| 4.1 引言 | 第49-50页 |
| 4.2 计算方法 | 第50-52页 |
| 4.3 结果和讨论 | 第52-60页 |
| 4.4 小结 | 第60-61页 |
| 第5章 Al 掺杂和Al_2O_3界面技术改善Cu 薄膜电迁移稳定性 | 第61-71页 |
| 5.1 引言 | 第61-62页 |
| 5.2 计算方法 | 第62-63页 |
| 5.3 结果和讨论 | 第63-69页 |
| 5.4 小结 | 第69-71页 |
| 第6章 结论 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-100页 |
| 攻博期间发表的学术论文 | 第100-101页 |
| 致谢 | 第101页 |
