首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--基本电子电路论文--振荡技术、振荡器论文--振荡器论文

基于180nm CMOS工艺的毫米波线性叠加振荡器设计

摘要第4-5页
ABSTRACT第5页
第一章 引言第8-15页
    1.1 研究背景第8-10页
    1.2 毫米波技术的应用领域第10-12页
        1.2.1 国防军事领域第10页
        1.2.2 民用产业化领域第10-12页
    1.3 毫米波信号产生技术的发展史、研究现状以及研究热点第12-14页
    1.4 论文结构安排第14-15页
第二章 基础理论知识第15-37页
    2.1 振荡器相关基础第15-21页
        2.1.1 振荡器分类第15-18页
        2.1.2 单端能量负阻补偿模型第18-20页
        2.1.3 巴克豪森准则第20-21页
    2.2 相位噪声第21-28页
        2.2.1 线性时不变系统分析第22-23页
        2.2.2 非线性时不变系统分析第23-24页
        2.2.3 线性时变系统分析第24-28页
    2.3 阻抗匹配第28页
    2.4 最大振荡频率与特征频率第28-32页
    2.5 无源器件第32-37页
        2.5.1 电感第32-34页
        2.5.2 电容第34-37页
第三章 电路设计第37-48页
    3.1 推推振荡器原理第37-39页
    3.2 线性叠加振荡器原理第39-40页
    3.3 器件参数优化第40-42页
    3.4 仿真结果第42-48页
第四章 版图绘制与测试第48-63页
    4.1 版图设计优化措施第48-50页
    4.2 提取寄生参数后仿真结果第50-53页
    4.3 毫米波测试接口第53-55页
    4.4 芯片测试结果与性能对比第55-63页
        4.4.1 9.14GHz 信号测试结果第55-58页
        4.4.2 36.56GHz 信号测试结果第58-63页
第五章 总结与展望第63-64页
参考文献第64-69页
发表论文和参加科研情况说明第69-70页
致谢第70页

论文共70页,点击 下载论文
上一篇:基于VM理论的半导体企业设备投资决策研究
下一篇:GaAs材料划切工艺研究