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非近轴近似多元高斯模型的缺陷检测回波信号预测

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第1章 绪论第10-19页
    1.1 课题来源及研究的背景和意义第10-13页
        1.1.1 课题来源第11页
        1.1.2 超声相控阵面临的发展机遇第11页
        1.1.3 相控阵超声成像的优点第11-12页
        1.1.4 超声相控阵工业应用现状第12-13页
    1.2 国内外对超声测量模型的研究现状及分析第13-18页
        1.2.1 国外研究现状第15-16页
        1.2.2 国内研究现状第16-17页
        1.2.3 国内外文献综述简析第17-18页
    1.3 本文的主要研究内容第18-19页
第2章 双层界面下线性相控阵的辐射声场模拟第19-37页
    2.1 引言第19页
    2.2 现有理论模型第19-25页
        2.2.1 瑞利积分模型第21-22页
        2.2.2 近轴近似多元高斯模型第22-24页
        2.2.3 非近轴近似多元高斯模型第24-25页
    2.3 横波检测声场模拟的非近轴近似多元高斯模型第25-29页
        2.3.1 横波检测声场模拟的瑞利索末菲模型第26页
        2.3.2 横波检测声场模拟的非近轴近似多高斯声束模型第26-29页
    2.4 横波检测声场模拟分析的延迟时间计算第29-30页
        2.4.1 各阵元声束延迟时间计算第29-30页
        2.4.2 相控阵横波检测辐射声场计算第30页
    2.5 仿真计算分析第30-35页
        2.5.1 NMG声束偏转与偏转聚焦的辐射声场模拟结果分析第32-33页
        2.5.2 MG与NMG的声束偏转聚焦辐射声场模拟结果分析第33-35页
    2.6 本章小结第35-37页
第3章 单层界面下线性相控阵检测的回波信号预测第37-66页
    3.1 引言第37-38页
    3.2 超声测量模型第38-40页
    3.3 单层界面下线性相控阵检测声场计算模型第40-42页
        3.3.1 声束偏转的延迟时间计算第41-42页
        3.3.2 声束偏转聚焦的时间延迟计算第42页
    3.4 横通孔远场散射幅度第42-47页
        3.4.1 分离变量法第43-44页
        3.4.2 基尔霍夫近似理论第44-47页
    3.5 系统影响因子第47-51页
        3.5.1 横通孔缺陷检测实验装置第47-49页
        3.5.2 系统影响因子第49-51页
    3.6 横通孔评定回波信号模拟结果及实验对比第51-59页
        3.6.1 基于基尔霍夫近似理论与分离变量法回波信号对比第52-55页
        3.6.2 基于基尔霍夫近似理论的回波信号模拟第55-57页
        3.6.3 基于分离变量法回波信号模拟第57-59页
    3.7 球形孔评定回波信号模拟第59-65页
        3.7.1 球形孔缺陷基尔霍夫近似理论第59-60页
        3.7.2 球形孔缺陷回波信号模拟第60-63页
        3.7.3 球形孔与横通孔缺陷回波信号对比第63-65页
    3.8 本章小结第65-66页
第4章 双层界面下线性相控阵检测的回波信号预测第66-80页
    4.1 引言第66-67页
    4.2 双层界面下线性相控阵超声测量模型第67-72页
        4.2.1 线性相控阵声场计算模型第67-69页
        4.2.2 横通孔远场散射幅度第69-71页
        4.2.3 球形孔远场散射幅度第71-72页
        4.2.4 系统影响因子第72页
    4.3 丙烯酸树脂-水-钢界面下回波信号预测第72-79页
        4.3.1 横通孔缺陷回波信号模拟第73-76页
        4.3.2 球形孔缺陷回波信号模拟第76-78页
        4.3.3 球形孔与横通孔缺陷回波信号对比第78-79页
    4.4 本章小结第79-80页
结论与展望第80-82页
参考文献第82-86页
攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果第86-88页
致谢第88页

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