| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 原子层沉积（ALD） | 第11-16页 |
| 1.1.1 ALD技术简介 | 第11-12页 |
| 1.1.2 ALD生长原理 | 第12-13页 |
| 1.1.3 ALD技术研究现状 | 第13-16页 |
| 1.2 椭圆偏振测量 | 第16-18页 |
| 1.2.1 椭圆偏振研究现状 | 第16-17页 |
| 1.2.2 椭圆偏振测量原理 | 第17-18页 |
| 1.3 掠入射X射线反射（GIXRR）测量 | 第18-20页 |
| 1.3.1 GIXRR研究现状 | 第19页 |
| 1.3.2 GIXRR测量原理 | 第19-20页 |
| 1.4 纳米薄膜厚度标准物质研究现状 | 第20-21页 |
| 1.5 薄膜制备及其厚度准确测量面临的挑战 | 第21-22页 |
| 1.6 课题选择及研究内容 | 第22-24页 |
| 第2章 SiO_2纳米薄膜ALD制备 | 第24-44页 |
| 2.1 引言 | 第24页 |
| 2.2 实验部分 | 第24-28页 |
| 2.2.1 实验材料 | 第24-25页 |
| 2.2.2 实验和表征设备 | 第25-26页 |
| 2.2.3 实验设计 | 第26-28页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第28-43页 |
| 2.3.1 基底材料表征 | 第28-30页 |
| 2.3.2 基底预处理 | 第30-31页 |
| 2.3.3 热法工艺优化 | 第31-40页 |
| 2.3.4 等离子体法工艺优化 | 第40-43页 |
| 2.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第3章 SiO_2纳米薄膜表征 | 第44-60页 |
| 3.1 引言 | 第44页 |
| 3.2 实验部分 | 第44-47页 |
| 3.2.1 表征对象 | 第44页 |
| 3.2.2 表征设备和条件 | 第44-45页 |
| 3.2.3 实验设计 | 第45-47页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第47-58页 |
| 3.3.1 表面吸附层厚度、组成 | 第47-49页 |
| 3.3.2 表面粗糙度 | 第49页 |
| 3.3.3 界面位置及过渡区域理论厚度 | 第49-52页 |
| 3.3.4 自然氧化层厚度、组成 | 第52-56页 |
| 3.3.5 ALD生长SiO_2结构 | 第56-57页 |
| 3.3.6 TEM表征 | 第57-58页 |
| 3.4 本章小结 | 第58-60页 |
| 第4章 SiO_2纳米薄膜厚度准确测量及标准物质研制 | 第60-99页 |
| 4.1 引言 | 第60-61页 |
| 4.2 实验部分 | 第61-70页 |
| 4.2.1 实验对象 | 第61-62页 |
| 4.2.2 测量设备 | 第62页 |
| 4.2.3 实验设计 | 第62-70页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第70-97页 |
| 4.3.1 单波长椭偏（SWE）测量 | 第70-72页 |
| 4.3.2 掠入射X射线反射（GIXRR）测量 | 第72-89页 |
| 4.3.3 厚度准确定值 | 第89-92页 |
| 4.3.4 两种定值方法引入的不确定度 | 第92-93页 |
| 4.3.5 均匀性检验及其引入的不确定度 | 第93-94页 |
| 4.3.6 稳定性监测及其引入的不确定度 | 第94-95页 |
| 4.3.7 合成标准不确定度 | 第95-96页 |
| 4.3.8 拓展不确定度计算结果 | 第96-97页 |
| 4.4 本章小结 | 第97-99页 |
| 第5章 结论 | 第99-101页 |
| 参考文献 | 第101-108页 |
| 致谢 | 第108-109页 |
| 攻读硕士学位期间学术论文和研究成果 | 第109页 |