中文摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第一章 引言 | 第10-25页 |
1.1 研究背景 | 第10-11页 |
1.2 半导体光电化学分解水制氢概述 | 第11-14页 |
1.2.1 半导体光电化学分解水制氢的原理 | 第11-12页 |
1.2.2 光电化学电池对电极材料的要求 | 第12-14页 |
1.3 硅光阴极的光电化学性能、改性及其研究现状 | 第14-20页 |
1.3.1 表面修饰催化剂 | 第15-16页 |
1.3.2 构建PN结 | 第16-17页 |
1.3.3 微纳结构 | 第17-20页 |
1.4 本文的研究内容 | 第20-22页 |
参考文献 | 第22-25页 |
第二章 样品的制备、结构及性能的表征 | 第25-34页 |
2.1 样品的制备 | 第25-27页 |
2.1.1 实验材料 | 第25页 |
2.1.2 碳纳米颗粒的制备 | 第25-26页 |
2.1.3 N-CNDs/np~+-Si 光阴极的制备 | 第26-27页 |
2.2 样品结构及性能的表征方法 | 第27-29页 |
2.3 样品光电化学性质的测试 | 第29-33页 |
2.3.1 线性扫描伏安法(Linear Sweep Voltammetry, LSV)测试 | 第30页 |
2.3.2 循环伏安法(Cyclic Voltammetry, CV)测试 | 第30-32页 |
2.3.3 电化学阻抗谱(Electrochemical Impedance Spectroscopy, EIS)测试 | 第32-33页 |
参考文献 | 第33-34页 |
第三章 氮掺杂碳纳米点/np~+-Si光阴极的光电化学性能研究 | 第34-48页 |
3.1 引言 | 第34-36页 |
3.2 实验方法 | 第36页 |
3.3 实验结果与讨论 | 第36-45页 |
3.4 本章小结 | 第45-46页 |
参考文献 | 第46-48页 |
第四章 纳米类金字塔结构多晶硅光阴极的研究 | 第48-57页 |
4.1 引言 | 第48-49页 |
4.2 实验方法 | 第49-50页 |
4.2.1 纳米类金字塔黑硅结构的制备 | 第49-50页 |
4.2.2 Pt纳米颗粒的沉积 | 第50页 |
4.3 实验结果与讨论 | 第50-53页 |
4.4 本章小结 | 第53-55页 |
参考文献 | 第55-57页 |
第五章 总结 | 第57-59页 |
攻读硕士学位期间公开发表的论文及科研成果 | 第59-60页 |
致谢 | 第60-61页 |