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纳米结构高活性SOFC阴极制备及抗Cr毒化机理研究

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
1 绪论第11-21页
    1.1 引言第11页
    1.2 SOFC的工作原理与关键部件第11-13页
        1.2.1 SOFC的工作原理第11-12页
        1.2.2 SOFC的关键部件第12-13页
    1.3 SOFC阴极的氧化还原机理第13-15页
    1.4 典型阴极及常用改进方法第15-17页
    1.5 SOFC阴极的Cr毒化机理第17-19页
    1.6 本文的意义、研究内容及目标第19-21页
2 实验与表征第21-29页
    2.1 实验原料和实验仪器第21-22页
        2.1.1 实验用药第21-22页
        2.1.2 实验所用仪器第22页
    2.2 材料合成方法第22-24页
        2.2.1 甘氨酸硝酸盐(GNP)法第22-23页
        2.2.2 共沉淀(CPM)法第23页
        2.2.3 球磨(BMM)法第23-24页
    2.3 样品制备方法第24-26页
        2.3.1 制片第24页
        2.3.2 电极浆料制备第24页
        2.3.3 对电池制备第24-25页
        2.3.4 电解质支撑单电池制备第25页
        2.3.5 阳极支撑单电池制备第25页
        2.3.6 电化学测量样品制备第25-26页
        2.3.7 浸渍阴极的制备第26页
    2.4 测量方法第26-29页
        2.4.1 X射线衍射分析第26页
        2.4.2 热差分析第26页
        2.4.3 扫描电镜、能谱分析第26页
        2.4.4 交流阻抗谱第26-27页
        2.4.5 极化测试第27-28页
        2.4.6 Cr毒化条件的搭建第28页
        2.4.7 单电池测量环境第28-29页
3 纳米修饰的高活性阴极第29-45页
    3.1 纳米修饰阴极的选材及原因第29页
    3.2 实验方法与过程第29-30页
    3.3 结果与讨论第30-43页
        3.3.1 物相分析第30-31页
        3.3.2 LNF的电化学性能第31-32页
        3.3.3 浸渍阴极的电化学性能第32-35页
        3.3.4 浸渍阴极的微观结构及增强机理研究第35-38页
        3.3.5 MIEC类材料浸渍LNF的增强原理第38-41页
        3.3.6 IC类材料浸渍LNF的增强原理第41-43页
    3.4 本章总结第43-45页
4 镍铁矿浸渍产物的包覆结构第45-70页
    4.1 镍铁矿包覆相材料的选用及其原因第46-47页
    4.2 实验过程与方法第47页
    4.3 结果与讨论第47-68页
        4.3.1 LNF与BSC的高温反应扩散能力第47-48页
        4.3.2 LNF@BSC的电化学性能第48-51页
        4.3.3 BSC浸渍与SC浸渍LNF|SDC的比较第51-52页
        4.3.4 LNF@BSC(900)的稳定性第52-54页
        4.3.5 LNF@BSC(900)在铬污染条件下的衰退第54-56页
        4.3.6 包覆相LNF@BSC(900)的微观结构第56-60页
        4.3.7 浸渍溶液前驱的改进第60-62页
        4.3.8 LNF@SC的电化学性能第62-64页
        4.3.9 复合浸渍包覆相LNF@SC@Pr6O11第64-67页
        4.3.10 LNF@SC@PO的性能衰退第67-68页
    4.4 本章总结第68-70页
5 阴极LSCF的改进及其抗铬毒化能力第70-88页
    5.1 包覆结构的选材与背景第70-71页
    5.2 实验过程与方法第71页
    5.3 结果与讨论第71-86页
        5.3.1 LSCF与NF前驱的化学相容性第71-72页
        5.3.2 LSCF@NF的电化学性能第72-75页
        5.3.3 LSCF@NF的抗Cr毒化性能第75-76页
        5.3.4 LSCF@NF(X)的焙烧产物第76-81页
        5.3.5 LSCF@NF(1100)抗Cr毒化性能表征第81-86页
    5.4 本章总结第86-88页
6 结论与展望第88-90页
    6.1 本文结论第88-89页
    6.2 展望第89-90页
致谢第90-91页
参考文献第91-97页
附录第97页

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