| 摘要 | 第5-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第1章 绪论 | 第17-41页 |
| 1.1 引言 | 第17页 |
| 1.2 低维纳米材料的发展 | 第17-34页 |
| 1.2.1 碳纳米管介绍 | 第21-27页 |
| 1.2.2 石墨烯及石墨烯纳米带介绍 | 第27-32页 |
| 1.2.3 硅烯及硅烯纳米带介绍 | 第32-34页 |
| 1.3 掺杂与缺陷在低维纳米结构相关材料中的研究现状 | 第34-39页 |
| 1.3.1 掺杂与缺陷在低维纳米材料中的重要性 | 第34-36页 |
| 1.3.2 缺陷和掺杂在碳纳米管中的研究 | 第36-37页 |
| 1.3.3 缺陷和掺杂在石墨烯中的研究 | 第37-38页 |
| 1.3.4 缺陷和掺杂在硅烯中的研究 | 第38-39页 |
| 1.4 本文的选题意义和主要内容 | 第39-41页 |
| 1.4.1 本文的选题意义 | 第39页 |
| 1.4.2 本文的主要内容 | 第39-41页 |
| 第2章 计算理论与方法 | 第41-48页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第41-44页 |
| 2.1.1 Born-Oppenheimer绝热近似 | 第41-42页 |
| 2.1.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第42页 |
| 2.1.3 Kohn-Sham方程 | 第42-44页 |
| 2.1.4 交换关联势 | 第44页 |
| 2.2 格林函数方法 | 第44-46页 |
| 2.2.1 格林函数方法介绍 | 第44-45页 |
| 2.2.2 朗道公式 | 第45-46页 |
| 2.3 本文涉及的计算软件介绍 | 第46-47页 |
| 2.3.1 SIESTA | 第46-47页 |
| 2.3.2 Tran SIESTA-C | 第47页 |
| 2.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第3章 含氮空位复合缺陷的螺旋手性碳纳米管器件整流效应的理论研究 | 第48-55页 |
| 3.1 引言 | 第48-49页 |
| 3.2 计算模型和方法 | 第49-50页 |
| 3.3 结果分析与讨论 | 第50-54页 |
| 3.3.1 电子结构的分析 | 第50-51页 |
| 3.3.2 电子输运性能的分析 | 第51-54页 |
| 3.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第4章 羧化缺陷复合体对手性碳纳米管电子结构与输运性能的调控效应 | 第55-68页 |
| 4.1 引言 | 第55-56页 |
| 4.2 含羧基缺陷复合体的（8，4）SWCNTs电子输运性能的研究 | 第56-61页 |
| 4.2.1 计算模型与方法 | 第56-57页 |
| 4.2.2 电子结构的分析 | 第57-58页 |
| 4.2.3 电子输运性能的分析 | 第58-61页 |
| 4.3 含羧基硼缺陷复合体的（6，3）SWCNTs电子输运性能的研究 | 第61-66页 |
| 4.3.1 理论模型与计算方法 | 第61-62页 |
| 4.3.2 计算结果与分析 | 第62-66页 |
| 4.4 本章小结 | 第66-68页 |
| 第5章 硅氮复合掺杂对扶手椅型石墨烯纳米带器件负微分电阻效应的影响 | 第68-77页 |
| 5.1 引言 | 第68-69页 |
| 5.2 计算模型与方法 | 第69-70页 |
| 5.3 电子结构计算结果分析 | 第70-73页 |
| 5.3.1 SiN_x掺杂复合体的稳定性 | 第70-71页 |
| 5.3.2 SiN_x掺杂复合体对a GNRs电子结构的影响 | 第71-73页 |
| 5.4 电子输运性能的计算结果分析 | 第73-76页 |
| 5.4.1 平衡态电子输运性能的分析 | 第73-74页 |
| 5.4.2 非平衡态电子输运性能的分析 | 第74-76页 |
| 5.5 本章小结 | 第76-77页 |
| 第6章 AA-P_2掺杂硅烯纳米带器件中整流效应的理论研究 | 第77-96页 |
| 6.1 引言 | 第77-78页 |
| 6.2 AA-P_2复合掺杂扶手椅型SiNRs电子结构及输运性能的研究 | 第78-87页 |
| 6.2.1 计算模型及方法 | 第78-80页 |
| 6.2.2 AA-P_2掺杂构型的稳定性研究 | 第80页 |
| 6.2.3 电子结构分析 | 第80-82页 |
| 6.2.4 电子输运性能的分析 | 第82-87页 |
| 6.3 非对称电极AA-P_2对角掺杂aSiNRs器件的整流行为 | 第87-94页 |
| 6.3.1 计算模型构建 | 第87-88页 |
| 6.3.2 结果分析与讨论 | 第88-94页 |
| 6.4 本章小结 | 第94-96页 |
| 第7章 顶点相接正三角纳米片分子器件的整流行为 | 第96-108页 |
| 7.1 引言 | 第96-97页 |
| 7.2 边缘修饰对TGN分子器件整流效应的调控 | 第97-102页 |
| 7.2.1 分子器件模型及理论计算方法 | 第97-98页 |
| 7.2.2 计算结果分析与讨论 | 第98-102页 |
| 7.3 非对称顶点掺杂对TSi N分子器件整流效应的调控 | 第102-107页 |
| 7.3.1 分子器件模型及理论计算方法 | 第102-103页 |
| 7.3.2 计算结果分析与讨论 | 第103-107页 |
| 7.4 本章小结 | 第107-108页 |
| 结论与展望 | 第108-110页 |
| 结论 | 第108-109页 |
| 展望 | 第109-110页 |
| 参考文献 | 第110-129页 |
| 附录A 攻读学位期间发表学术论文目录 | 第129-130页 |
| 致谢 | 第130页 |
