| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第10-11页 |
| 1.2 Ga_2O_3的结构 | 第11-12页 |
| 1.3 β-Ga_2O_3的性质和应用前景 | 第12-15页 |
| 1.3.1 Ga_2O_3大功率半导体器件器 | 第12-13页 |
| 1.3.2 Ga_2O_3基的紫外光探测器 | 第13-14页 |
| 1.3.3 Ga_2O_3透明导电薄膜 | 第14页 |
| 1.3.4 Ga_2O_3基气敏元件 | 第14-15页 |
| 1.3.5 基于Ga_2O_3薄膜的电致发光器件(TFEL) | 第15页 |
| 1.4 β-Ga_2O_3异质结研究现状 | 第15-16页 |
| 参考文献 | 第16-19页 |
| 第二章 Ga_2O_3薄膜的制备和表征 | 第19-28页 |
| 2.1 化学气相淀积技术 | 第19-20页 |
| 2.2 磁控溅射 | 第20页 |
| 2.3 溶胶一凝胶 | 第20-21页 |
| 2.4 激光分子束外延 | 第21-23页 |
| 2.4.1 激光分子束外延原理 | 第21-23页 |
| 2.4.2 激光分子束外延系统 | 第23页 |
| 2.6 反射式高能电子衍射设备(RHEED) | 第23-24页 |
| 2.7 X射线衍射分析技术 | 第24-26页 |
| 2.8 本章小结 | 第26页 |
| 参考文献 | 第26-28页 |
| 第三章 光电探测 | 第28-52页 |
| 3.1 光电效应 | 第28-30页 |
| 3.1.1 外光电效应 | 第28-29页 |
| 3.1.2 内光电效应 | 第29-30页 |
| 3.2 真空管光电探测器 | 第30-39页 |
| 3.2.1 真空管光电二极管 | 第31-32页 |
| 3.2.2 光电倍增管(PMT) | 第32-39页 |
| 3.3 半导体光电探测器 | 第39-44页 |
| 3.3.1 PN结型光电二极管 | 第41-43页 |
| 3.3.2 PIN型光电二极管 | 第43页 |
| 3.3.3 雪崩光电二极管 | 第43-44页 |
| 3.4 日盲紫外光电探测器 | 第44-46页 |
| 3.5 光电探测器的性能参数 | 第46-48页 |
| 3.5.1 响应度和量子效率 | 第46-47页 |
| 3.5.2 探测器的响应时间 | 第47-48页 |
| 3.6 本章小结 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-52页 |
| 第四章 Si衬底上Ga_2O_3薄膜的生长及其光电性质研究 | 第52-72页 |
| 4.1 Ga_2O_3薄膜沉积的原理和过程 | 第52-54页 |
| 4.2 工艺参数对β-Ga_2O_3薄膜的影响 | 第54-57页 |
| 4.2.1 衬底温度对Ga_2O_3薄膜生长的影响 | 第54-55页 |
| 4.2.2 氧分压对薄膜生长的影响 | 第55-56页 |
| 4.2.3 退火对薄膜生长的影响 | 第56-57页 |
| 4.3 Ga_2O_3/p-Si异质结制备 | 第57-58页 |
| 4.4 β-Ga_2O_3薄膜的RHEED图和XRD衍射图 | 第58-59页 |
| 4.5 光电探测器的电极 | 第59-61页 |
| 4.5.1 肖特慕接触欧姆接触 | 第59-60页 |
| 4.5.2 电极制备 | 第60-61页 |
| 4.6 Ga_2O_3薄膜的光电特性的研究 | 第61-69页 |
| 4.6.1 响应度与量子效率 | 第61-63页 |
| 4.6.2 响应时间常数 | 第63-66页 |
| 4.6.3 载流子运输机理讨论 | 第66-69页 |
| 4.7 本章小结 | 第69页 |
| 参考文献 | 第69-72页 |
| 第五章 总结与展望 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 作者攻读学位期间发表的学术论文 | 第74页 |
