| 中文摘要 | 第8-11页 |
| Abstract | 第11-14页 |
| 符号说明 | 第15-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-28页 |
| 1.1 引言 | 第17-18页 |
| 1.2 拓扑绝缘体简介 | 第18-20页 |
| 1.3 二维拓扑绝缘体 | 第20-24页 |
| 1.3.1 二维拓扑绝缘体原理 | 第20-21页 |
| 1.3.2 二维拓扑绝缘体的发展 | 第21-24页 |
| 1.4 本论文主要研究内容和结论 | 第24-25页 |
| 参考文献 | 第25-28页 |
| 第二章 密度泛函理论与计算软件介绍 | 第28-49页 |
| 2.1 绝热近似(Born-Oppenheimer近似) | 第28-31页 |
| 2.2 Hartree-Fock近似 | 第31-34页 |
| 2.3 电子密度 | 第34-35页 |
| 2.4 密度泛函理论 | 第35-38页 |
| 2.4.1 Thomas-Fermi模型 | 第35页 |
| 2.4.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第35-36页 |
| 2.4.3 Kohn-Sham方程 | 第36-38页 |
| 2.5 交换相关泛函 | 第38-40页 |
| 2.5.1 局域密度近似(LDA) | 第38-39页 |
| 2.5.2 广义梯度近似(GGA) | 第39-40页 |
| 2.5.3 杂化密度泛函 | 第40页 |
| 2.6 基组和赝势方法 | 第40-42页 |
| 2.6.1 平面波基组 | 第40-41页 |
| 2.6.2 赝势方法 | 第41-42页 |
| 2.7 自旋限制与非限制计算 | 第42-43页 |
| 2.8 密度泛函理论的修正与扩展 | 第43-44页 |
| 2.9 本文采用的密度泛函理论计算软件包 | 第44-47页 |
| 参考文献 | 第47-49页 |
| 第三章 六角结构HI-Bi二维拓扑绝缘体性质及应力研究 | 第49-63页 |
| 3.1 研究背景 | 第49-50页 |
| 3.2 计算模型和计算细节 | 第50-51页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第51-59页 |
| 3.3.1 体能带结构与Z_2拓扑数 | 第51-54页 |
| 3.3.2 zigzag纳米带边界态分析 | 第54-56页 |
| 3.3.3 体效应和量子限制效应在应力下的变化 | 第56-59页 |
| 3.4 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 第四章 强自旋轨道耦合二维单层T-Ga_2Bi_2拓扑性质及其在原子桥和横向异质结中的研究 | 第63-83页 |
| 4.1 研究背景 | 第63-64页 |
| 4.2 计算细节和计算模型 | 第64-66页 |
| 4.3 结果和讨论 | 第66-79页 |
| 4.3.1 T-Ga_2Bi_2体能带结构和Z_2拓扑数 | 第66-67页 |
| 4.3.2 zigzag与armchair型纳米带电子能带图分析 | 第67-69页 |
| 4.3.3 对T-Ga_2Bi_2 ziagzag型边界态的研究以及量子限制相应的影响 | 第69-70页 |
| 4.3.4 BN对T-Ga_2Bi_2电子结构以及带边态的影响 | 第70-72页 |
| 4.3.5 O原子桥态电子结构性质 | 第72-75页 |
| 4.3.6 拓扑绝缘体横向异质结构T-Ga_2Bi_2/T-Ga_2Sb_2 | 第75-79页 |
| 4.4 结论 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-83页 |
| 5 总结与展望 | 第83-85页 |
| 5.1 总结 | 第83-84页 |
| 5.2 展望 | 第84-85页 |
| 硕士期间发表的学术论文目录以及获奖情况 | 第85-86页 |
| 1 发表论文目录 | 第85页 |
| 2 参加的国际会议 | 第85页 |
| 3 参与的科研项目 | 第85-86页 |
| 致谢 | 第86-87页 |
| 附录：攻读硕士期间所发表的英文论文(原文) | 第87-88页 |
| 学位论文评阅及答辩情况隶表 | 第88页 |
