| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-29页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第9-17页 |
| 1.1.1 无线通信系统的发展对射频器件的要求 | 第9-10页 |
| 1.1.2 传统的滤波器解决方案及不足之处 | 第10-12页 |
| 1.1.3 FBAR技术 | 第12-14页 |
| 1.1.4 FBAR技术与传统滤波器技术的对比 | 第14-17页 |
| 1.2 FBAR的基本结构 | 第17-22页 |
| 1.2.1 FBAR的结构要求 | 第17-18页 |
| 1.2.2 体硅刻蚀型FBAR | 第18-19页 |
| 1.2.3 空腔型FBAR | 第19-20页 |
| 1.2.4 固态装配型FBAR | 第20-22页 |
| 1.3 FBAR的材料选择 | 第22-25页 |
| 1.3.1 压电材料的选择 | 第22-23页 |
| 1.3.2 电极材料的选择 | 第23-25页 |
| 1.4 FBAR滤波器的国内外研究进展 | 第25-27页 |
| 1.5 FBAR发展的技术瓶颈及本论文的创新 | 第27-28页 |
| 1.6 论文的章节安排 | 第28-29页 |
| 第二章 FBAR的仿真设计分析 | 第29-43页 |
| 2.1 FBAR的电学阻抗 | 第29-31页 |
| 2.2 FBAR的关键器件性能指标 | 第31-33页 |
| 2.2.1 品质因数Q | 第32-33页 |
| 2.2.2 有效机电耦合系数k_(eff)~2 | 第33页 |
| 2.3 基于ADS的FBAR的仿真模型建立 | 第33-38页 |
| 2.3.1 FBAR的普适等效电路模型 | 第33-37页 |
| 2.3.2 FBAR仿真模型建立 | 第37-38页 |
| 2.4 FBAR的电学性能仿真 | 第38-42页 |
| 2.4.1 压电薄膜夹持介电常数ε_(ZZ)~S的影响 | 第38-39页 |
| 2.4.2 压电薄膜压电应力常数e_(Z3)的影响 | 第39页 |
| 2.4.3 压电薄膜短路弹性劲度常数C_(33)~E的影响 | 第39-40页 |
| 2.4.4 压电薄膜密度ρ的影响 | 第40-41页 |
| 2.4.5 电极弹性劲度常数c_(11)的影响 | 第41页 |
| 2.4.6 电极密度ρ的影响 | 第41-42页 |
| 2.5 本章小结 | 第42-43页 |
| 第三章 基于单晶ALN薄膜的FBAR工艺设计 | 第43-54页 |
| 3.1 单晶ALN薄膜的PLD外延制备 | 第43-51页 |
| 3.1.1 在Si上PLD外延AlN的生长机理 | 第44-45页 |
| 3.1.2 PLD外延生长Al N的实验与表征 | 第45-51页 |
| 3.2 空腔结构FBAR的主流制备工艺 | 第51-53页 |
| 3.2.1 下凹型空腔结构FBAR的制备 | 第51-52页 |
| 3.2.2 上凸型空腔结构FBAR的制备 | 第52-53页 |
| 3.3 基于单晶ALN薄膜的FBAR工艺方案设计研究 | 第53页 |
| 3.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第四章 基于单晶ALN薄膜的FBAR器件实现与测试 | 第54-72页 |
| 4.1 FBAR器件结构版图设计 | 第54-57页 |
| 4.1.1 FBAR器件结构设计 | 第54页 |
| 4.1.2 光刻掩膜版设计 | 第54-57页 |
| 4.2 FBAR器件关键工艺技术研究 | 第57-66页 |
| 4.2.1 工艺风险评估 | 第57-58页 |
| 4.2.2 几个关键工艺研究 | 第58-66页 |
| 4.3 基于单晶ALN薄膜的FBAR成品测试分析 | 第66-70页 |
| 4.4 本章小结 | 第70-72页 |
| 第五章 总结与展望 | 第72-74页 |
| 5.1 全文总结 | 第72-73页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-80页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 附件 | 第82页 |
