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基于SIW技术的振荡器研究

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
缩略词表第14-15页
第一章 绪论第15-19页
    1.1 研究背景及意义第15-17页
    1.2 SIW振荡器的发展现状第17-18页
    1.3 本论文的主要工作第18-19页
第二章基片集成波导振荡器设计基础第19-32页
    2.1 引言第19页
    2.2 SIW技术的理论基础第19-27页
        2.2.1 SIW技术的理论基础第19-22页
        2.2.2 常用SIW腔体的结构第22-23页
        2.2.3 SIW腔体与微带线的过渡第23-27页
    2.3 振荡器设计的理论基础第27-31页
        2.3.1 反射型振荡器设计的基本原理第28页
        2.3.2 反馈型振荡器设计的基本原理第28-29页
        2.3.3 振荡器的相位噪声第29-31页
    2.4 间隙电容的设计第31页
    2.5 本章小结第31-32页
第三章 基于基片集成波导技术的反射型振荡器的设计第32-48页
    3.1 引言第32页
    3.2 正六边形SIW腔体的设计第32-35页
    3.3 静态工作电路和高频厄流电路的设计第35-38页
    3.4 软件仿真第38-41页
        3.4.1 原理图仿真第38-40页
        3.4.2 版图-原理图仿真第40-41页
    3.5 测量结果第41-44页
    3.6 测试分析第44-47页
        3.6.1 测试结果分析第44-45页
        3.6.2 SIW技术优势分析第45-46页
        3.6.3 误差分析第46-47页
    3.7 本章小结第47-48页
第四章 基于基片集成波导技术的反馈型振荡器的设计第48-64页
    4.1 引言第48页
    4.2 滤波器的设计基础第48-52页
    4.3 HMSIW窄带滤波器的设计第52-54页
    4.4 高频厄流电路的设计第54-55页
    4.5 软件仿真第55-59页
        4.5.1 原理图仿真第55-57页
        4.5.2 版图-原理图仿真第57-59页
    4.6 测试结果第59-62页
    4.7 测试分析第62-63页
        4.7.1 测试结果分析第62页
        4.7.2 技术优势分析第62-63页
        4.7.3 误差分析第63页
    4.8 本章小结第63-64页
第五章 基于基片集成波导技术的压控振荡器的设计第64-80页
    5.1 引言第64页
    5.2 可调谐的SIW正方形腔体的设计第64-67页
    5.3 高频厄流电路的设计第67-68页
    5.4 软件仿真第68-73页
        5.4.1 原理图仿真第68-71页
        5.4.2 版图-原理图仿真第71-73页
    5.5 测量结果第73-77页
    5.6 测试分析第77-79页
        5.6.1 测试结果分析第77-78页
        5.6.2 技术优势分析第78页
        5.6.3 误差分析第78-79页
    5.7 本章小结第79-80页
第六章 总结与展望第80-82页
致谢第82-83页
参考文献第83-89页
攻硕期间取得的成果第89-90页

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