| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-27页 |
| 1.1 非易失性存储器研究进展 | 第17-25页 |
| 1.1.1 闪存 | 第18-20页 |
| 1.1.2 铁电存储器 | 第20页 |
| 1.1.3 磁阻式存储器 | 第20-21页 |
| 1.1.4 相变式存储器与3D交叉点存储器 | 第21-22页 |
| 1.1.5 阻变式存储器 | 第22-25页 |
| 1.2 论文内容安排 | 第25-27页 |
| 第二章 阻变存储器概述 | 第27-35页 |
| 2.1 RRAM器件分类方法 | 第28-29页 |
| 2.2 RRAM器件阻变机制 | 第29-32页 |
| 2.2.1 电化学金属阻变机制 | 第29-30页 |
| 2.2.2 静电子与电子阻变机制 | 第30-31页 |
| 2.2.3 缺陷驱动机制 | 第31页 |
| 2.2.4 热化学阻变机制 | 第31-32页 |
| 2.3 RRAM器件导电机理 | 第32-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-35页 |
| 第三章 氮化硅基RRAM器件的制备过程 | 第35-43页 |
| 3.1 底电极的制备 | 第35-36页 |
| 3.2 氮化硅薄膜的制备 | 第36-37页 |
| 3.3 顶电极的制备 | 第37-38页 |
| 3.4 阻变层的刻蚀 | 第38页 |
| 3.5 精密器件制备流程版图设计 | 第38-41页 |
| 3.6 本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 W/SiN_x/Pt器件的阻变特性研究 | 第43-61页 |
| 4.1 W/SiN_x/Pt器件的电学特性研究 | 第43-50页 |
| 4.1.1 W/SiN_x/Pt(SiH_4:NH_3=1:7)器件的电学特性研究 | 第43-46页 |
| 4.1.2 W/SiN_x/Pt(SiH_4:NH_3=1:1)器件的电学特性研究 | 第46-48页 |
| 4.1.3 W/SiN_x/Pt(SiH_4:NH_3=2:1)器件的电学特性研究 | 第48-50页 |
| 4.2 器件的阻变机制及导电机理分析 | 第50-53页 |
| 4.3 阻变层元素化学计量配比对W/SiN_x/Pt器件的性能影响 | 第53-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-61页 |
| 第五章 器件Mg/SiN_x/Pt与Cu/SiN_x/Pt的阻变特性研究 | 第61-73页 |
| 5.1 Mg/SiN_x/Pt(SiH_4:NH_3=2:1)器件的电学特性研究 | 第61-62页 |
| 5.2 Mg/SiN_x/Pt(SiH_4:NH_3=2:1)器件的阻变机制及导电机理分析 | 第62-63页 |
| 5.3 测试条件对Mg/SiN_x/Pt(SiH_4:NH_3=2:1)器件阻变性能的影响 | 第63-67页 |
| 5.3.1 Reset扫描截止电压对器件阻变性能的影响 | 第63-64页 |
| 5.3.2 Set限制电流对器件阻变性能的影响 | 第64-67页 |
| 5.4 阻变层元素化学计量配比对Mg/SiN_x/Pt器件的性能影响 | 第67-68页 |
| 5.5 Cu/SiN_x/Pt(SH_4:NH_3=2:1)器件的电学特性研究 | 第68-69页 |
| 5.6 Cu/SiN_x/Pt(SH_4:NH_3=2:1)器件的阻变机制及导电机理分析 | 第69-70页 |
| 5.7 电极材料对RRAM器件性能的影响 | 第70-72页 |
| 5.8 本章小结 | 第72-73页 |
| 第六章 总结与展望 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 致谢 | 第79-81页 |
| 作者简介 | 第81-82页 |
