摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5页 |
第1章 绪论 | 第8-10页 |
1.1 研究背景 | 第8-9页 |
1.2 研究意义 | 第9页 |
1.3 论文组织结构 | 第9-10页 |
第2章 单粒子效应分析 | 第10-24页 |
2.1 空间辐射环境和空间辐射效应 | 第10-11页 |
2.1.1 空间辐射环境 | 第10-11页 |
2.1.2 空间辐射效应 | 第11页 |
2.2 单粒子效应 | 第11-15页 |
2.2.1 单粒子瞬态脉冲的成因 | 第12-13页 |
2.2.2 单粒子效应的电荷收集过程 | 第13-14页 |
2.2.3 单粒子淀积电荷量 | 第14-15页 |
2.3 单粒子效应模拟方法 | 第15-18页 |
2.4 单粒子瞬态脉冲模型的研究现状 | 第18-22页 |
2.5 本章小结 | 第22-24页 |
第3章 三维器件模型的建立与单粒子效应仿真 | 第24-38页 |
3.1 TCAD仿真工具 | 第24-26页 |
3.2 三维器件模型建模 | 第26-35页 |
3.2.1 初始三维模型的建立 | 第26-31页 |
3.2.2 三维模型的工艺对准过程 | 第31-35页 |
3.3 器件/电路混合模式单粒子效应仿真 | 第35-37页 |
3.4 本章小结 | 第37-38页 |
第4章 单粒子瞬态脉冲模型的建立与应用 | 第38-50页 |
4.1 基于HSPICE的电路级单粒子瞬态脉冲模型 | 第38-45页 |
4.2 单粒子瞬态脉冲模型仿真验证 | 第45-47页 |
4.3 单粒子瞬态脉冲模型在电路设计中的应用 | 第47-49页 |
4.4 本章小结 | 第49-50页 |
第5章 结论 | 第50-52页 |
5.1 总结 | 第50-51页 |
5.2 展望 | 第51-52页 |
参考文献 | 第52-56页 |
附录 1 | 第56-57页 |
附录 2 | 第57-59页 |
附录 3 | 第59-64页 |
致谢 | 第64页 |