有机SOL-GEL法制备掺杂氧化钒薄膜及其电学性能研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| ·研究背景 | 第10页 |
| ·VO_2氧化钒薄膜的应用 | 第10-11页 |
| ·VO_2氧化钒薄膜用于非致冷红外焦平面阵列 | 第11-12页 |
| ·氧化钒薄膜的主要制备方法 | 第12-15页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第12-13页 |
| ·溅射法 | 第13页 |
| ·反应蒸发法 | 第13-14页 |
| ·其它制备方法 | 第14页 |
| ·薄膜制备方法比较 | 第14-15页 |
| ·氧化钒薄膜掺杂的作用 | 第15页 |
| ·掺杂氧化钒薄膜的制备方法 | 第15-16页 |
| ·溅射法掺杂 | 第15页 |
| ·反应蒸发镀法掺杂 | 第15-16页 |
| ·水热合成掺杂 | 第16页 |
| ·离子注入法掺杂 | 第16页 |
| ·溶胶一凝胶掺杂 | 第16页 |
| ·常见氧化钒的结构及性质 | 第16-21页 |
| ·五氧化二钒 | 第17页 |
| ·二氧化钒的结构 | 第17-19页 |
| ·二氧化钒的能带结构变化 | 第19-20页 |
| ·二氧化钒薄膜的性质 | 第20-21页 |
| ·光学性质 | 第20-21页 |
| ·电学性质 | 第21页 |
| ·掺杂对相变的影响 | 第21-22页 |
| ·选题依据及主要内容 | 第22-23页 |
| 第二章 实验方法 | 第23-30页 |
| ·试剂及仪器 | 第23页 |
| ·主要试剂 | 第23页 |
| ·仪器 | 第23页 |
| ·掺杂VO_X薄膜制备的工艺流程 | 第23-24页 |
| ·基片的处理 | 第24-25页 |
| ·旋涂成膜 | 第25页 |
| ·掺杂VO_X薄膜性能测试手段 | 第25-29页 |
| ·掺杂VO_X薄膜电学性能测试 | 第25-26页 |
| ·成分分析-X 射线光电子能谱 | 第26-27页 |
| ·厚度测试-椭圆偏振法 | 第27-29页 |
| ·小结 | 第29-30页 |
| 第三章 掺钼VO_X薄膜的制备及特性研究 | 第30-40页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·实验方法 | 第30页 |
| ·实验结果与分析 | 第30-39页 |
| ·掺杂浓度对薄膜电学性能的影响 | 第30-34页 |
| ·钼掺杂氧化钒薄膜的均匀性 | 第34-35页 |
| ·厚度对电学性能的影响 | 第35-37页 |
| ·掺钼VO_X薄膜的成分分析 | 第37-39页 |
| ·小结 | 第39-40页 |
| 第四章 掺钨VO薄膜的制备及特性研究 | 第40-52页 |
| ·试验方法 | 第40页 |
| ·实验结果与分析 | 第40-48页 |
| ·掺杂浓度对薄膜电学性能的影响 | 第40-43页 |
| ·钨掺杂氧化钒薄膜的均匀性 | 第43-44页 |
| ·厚度对电学性能的影响 | 第44-45页 |
| ·掺钨VO_X薄膜的成分分析 | 第45-48页 |
| ·两种元素掺杂结果比较 | 第48-51页 |
| ·薄膜的均匀性 | 第48-49页 |
| ·薄膜的方阻与TCR | 第49-50页 |
| ·掺杂元素在薄膜中的存在形式 | 第50页 |
| ·微观分析比较 | 第50-51页 |
| ·小结 | 第51-52页 |
| 第五章 结论与展望 | 第52-54页 |
| ·结论 | 第52-53页 |
| ·展望 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第58-59页 |
