| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 插图清单 | 第7-9页 |
| 表格清单 | 第9-10页 |
| 缩写符号列表 | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-15页 |
| 1.1 热载流子可靠性研究的重要性 | 第12-13页 |
| 1.2 PMOSFET 热载流子效应的研究现状 | 第13页 |
| 1.3 本文的研究工作及主要创新之处 | 第13-15页 |
| 第二章 PMOSFET 中的热载流子效应 | 第15-24页 |
| 2.1 PMOSFET 饱和区域的特性 | 第15页 |
| 2.2 强电场效应 | 第15-19页 |
| 2.3 碰撞离化 | 第19页 |
| 2.4 衬底电流 | 第19-20页 |
| 2.5 本章小节 | 第20-24页 |
| 第三章 PMOSFET 中的热载流子注入及其引起的电学参数的退化 | 第24-37页 |
| 3.1 热载流子注入和栅极电流 | 第24-25页 |
| 3.2 热载流子注入引起的栅氧化层缺陷 | 第25-26页 |
| 3.3 局部热载流子损伤引起的PMOSFET 电学参数的退化 | 第26-28页 |
| 3.4 PMOSFET 电学参数退化与热载流子应力的关系 | 第28-29页 |
| 3.5 PMOSFET 热载流子损伤预测模型 | 第29-30页 |
| 3.6 本章小结 | 第30-37页 |
| 第四章 漏端工程和栅氧化层厚度对 PMOSFET 热载流子寿命的影响 | 第37-63页 |
| 4.1 热载流子应力实验细节 | 第37-39页 |
| 4.1.1 测试仪器和测试环境 | 第37-38页 |
| 4.1.2 测试器件 | 第38页 |
| 4.1.3 热载流子应力实验 | 第38-39页 |
| 4.1.4 电学参数测试条件 | 第39页 |
| 4.2 栅氧化层厚度的影响 | 第39-40页 |
| 4.3 漏端工程 | 第40-44页 |
| 4.3.1 LDD 离子注入角度的影响 | 第40-41页 |
| 4.3.2 LDD 离子注入浓度的影响 | 第41-42页 |
| 4.3.3 LDD 离子注入能量的影响 | 第42-44页 |
| 4.4 对漏端工程实验结果的仿真讨论 | 第44-45页 |
| 4.5 本章小结 | 第45-63页 |
| 第五章 PMOSFET 热载流子损伤物理机制的研究 | 第63-74页 |
| 5.1 CV 法和电荷泵法 | 第63页 |
| 5.2 直流电流电压法基本原理 | 第63-64页 |
| 5.3 采用直流电流-电压方法的热载流子应力实验 | 第64-66页 |
| 5.3.1 测试器件 | 第64-65页 |
| 5.3.2 实验细节 | 第65-66页 |
| 5.4 实验结果与讨论 | 第66-68页 |
| 5.5 结论 | 第68-74页 |
| 第六章 论文总结 | 第74-76页 |
| 6.1 主要工作和结论 | 第74页 |
| 6.2 研究展望 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第81-84页 |
| 上海交通大学学位论文答辩决议书 | 第84页 |
