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基于pHEMT的L波段低噪声放大器设计

致谢第4-5页
摘要第5-6页
Abstract第6-7页
1 绪论第10-16页
    1.1 课题背景第10-11页
    1.2 国内外研究现状第11-14页
    1.3 本文主要工作及内容安排第14-16页
2 射频低噪声放大器设计理论第16-40页
    2.1 一般的噪声模型分析第16-18页
    2.2 二端口网络噪声理论分析第18-22页
    2.3 低噪声放大器设计基础理论第22-33页
    2.4 低噪声放大器线性度指标第33-38页
    2.5 本章小结第38-40页
3 射频低噪声放大器仿真设计与制作第40-76页
    3.1 栅极偏置电路的设计第40-43页
    3.2 共源级感性负载结构的设计第43-50页
    3.3 功率匹配和噪声匹配的仿真第50-55页
    3.4 1dB压缩点和三阶交调点的仿真第55-59页
    3.5 Cascode共源级带退化电感结构第59-63页
    3.6 实际电容电感模型下的仿真第63-68页
    3.7 低噪声放大器版图和调试PCB设计第68-75页
    3.8 本章小结第75-76页
4 射频低噪声放大器的调试第76-96页
    4.1 噪声系数的测试第76-79页
    4.2 Y系数法噪声系数的测试过程第79-81页
    4.3 功率匹配与噪声匹配的调试第81-84页
    4.4 1dB压缩点和三阶交调点的调试第84-86页
    4.5 不同静态偏置电流时的各项指标调试第86-88页
    4.6 不同漏极偏置电压下的各项指标测试第88-90页
    4.7 高低温环境下的低噪放性能测试第90-94页
    4.8 本章小结第94-96页
5 总结和展望第96-98页
    5.1 本文总结第96-97页
    5.2 对未来的展望第97-98页
参考文献第98-102页
作者简历第102页

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