摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第11-23页 |
1.1 国内外的研究现状 | 第11-19页 |
1.1.1 分子印迹的研究及发展 | 第11-16页 |
1.1.2 亲水作用色谱的研究及发展 | 第16-19页 |
1.2 本课题的研究意义与主要内容 | 第19-23页 |
1.2.1 研究目的及意义 | 第19-20页 |
1.2.2 主要研究内容 | 第20-21页 |
1.2.3 本研究的技术路线 | 第21-22页 |
1.2.4 本文合成多糖分子印迹聚合物的步骤及原理 | 第22-23页 |
第2章 实验材料与方法 | 第23-38页 |
2.1 实验材料 | 第23-24页 |
2.1.1 试剂与材料 | 第23-24页 |
2.1.2 实验仪器 | 第24页 |
2.2 淀粉多糖分子印迹聚合物的合成 | 第24-28页 |
2.2.1 功能单体的筛选 | 第24-25页 |
2.2.2 SiO_2纳米粒子的合成 | 第25-26页 |
2.2.3 环氧基修饰的二氧化硅纳米粒子的合成(Si O2@COC) | 第26-27页 |
2.2.4 淀粉多糖分子印迹聚合物的合成(SMIPs) | 第27页 |
2.2.5 淀粉多糖非分子印迹聚合物的合成(SNIPs) | 第27-28页 |
2.3 淀粉多糖分子印迹聚合物的结构表征 | 第28-29页 |
2.3.1 扫描电子显微镜分析 | 第28页 |
2.3.2 透射电子显微镜分析 | 第28页 |
2.3.3 红外光谱分析 | 第28-29页 |
2.3.4 热重分析 | 第29页 |
2.4 淀粉多糖分子印迹聚合物吸附性能的研究 | 第29-34页 |
2.4.1 SMIPs与SNIPs吸附速率的测定 | 第29页 |
2.4.2 SMIPs吸附动力学研究 | 第29-31页 |
2.4.3 SMIPs与SNIPs吸附等温曲线的测定 | 第31-32页 |
2.4.4 SMIPs吸附等温线模型的构建 | 第32-33页 |
2.4.5 吸附选择性 | 第33-34页 |
2.4.6 重复利用率 | 第34页 |
2.5 SMIPs色谱柱的制备 | 第34页 |
2.6 SMIPs色谱柱的HILIC保留行为研究 | 第34-38页 |
2.6.1 标准溶液的配制 | 第35页 |
2.6.2 不同色谱条件对溶质保留的影响 | 第35-36页 |
2.6.3 溶质在SMIPs色谱柱中保留机理的研究 | 第36-38页 |
第3章 淀粉多糖分子印迹聚合物的制备及表征 | 第38-48页 |
3.1 淀粉多糖分子印迹聚合物的制备 | 第38-42页 |
3.1.1 功能单体的筛选 | 第38-39页 |
3.1.2 载体的制备及最佳接枝条件的确定 | 第39-42页 |
3.1.3 合成聚合物的实际样品 | 第42页 |
3.2 合成聚合物的结构分析 | 第42-46页 |
3.2.1 扫描电子显微镜分析 | 第42-43页 |
3.2.2 透射电子显微镜分析 | 第43-44页 |
3.2.3 红外光谱分析 | 第44-45页 |
3.2.4 热重分析 | 第45-46页 |
3.3 本章小结 | 第46-48页 |
第4章 淀粉多糖分子印迹聚合物吸附性能的研究 | 第48-59页 |
4.1 吸附动力学及其模型研究 | 第48-52页 |
4.1.1 SMIPs与SNIPs吸附速率的测定 | 第48-49页 |
4.1.2 SMIPs吸附动力学模型分析 | 第49-52页 |
4.2 吸附等温线及其模型的研究 | 第52-55页 |
4.2.1 SMIPs与SNIPs吸附等温曲线的测定 | 第52-53页 |
4.2.2 SMIPs吸附等温线模型研究 | 第53-55页 |
4.3 吸附选择性 | 第55-57页 |
4.4 重复利用率 | 第57页 |
4.5 本章小结 | 第57-59页 |
第5章 SMIPs色谱柱保留行为的研究 | 第59-69页 |
5.1 SMIPs色谱柱的制备 | 第59页 |
5.2 SMIPs色谱柱的HILIC保留行为 | 第59-61页 |
5.3 不同色谱条件对溶质保留的影响 | 第61-65页 |
5.3.1 流动相中含水量对溶质保留的影响 | 第61-62页 |
5.3.2 流动相pH对溶质保留的影响 | 第62-63页 |
5.3.3 离子强度对溶质保留的影响 | 第63-64页 |
5.3.4 柱温对溶质保留的影响 | 第64-65页 |
5.4 溶质在SMIPs色谱柱中保留机理的研究 | 第65-67页 |
5.5 本章小结 | 第67-69页 |
结论 | 第69-71页 |
参考文献 | 第71-82页 |
攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第82-84页 |
致谢 | 第84页 |