| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| 1 概述 | 第8-11页 |
| 1.1 p-i-n型二极管的基本结构 | 第8-9页 |
| 1.2 p-i-n型二极管的应用 | 第9-11页 |
| 1.2.1 p-i-n二极管开关 | 第9页 |
| 1.2.2 p-i-n结太阳能电池 | 第9-10页 |
| 1.2.3 p-i-n光电二极管 | 第10页 |
| 1.2.4 大功率整流器 | 第10页 |
| 1.2.5 射频信号的衰减器和调制器 | 第10页 |
| 1.2.6 射频限幅器 | 第10-11页 |
| 2 p-i-n型二极管的反向恢复特性 | 第11-12页 |
| 3 国内外研究现状 | 第12-15页 |
| 4 课题研究的目的与意义 | 第15-16页 |
| 5 论文主要内容与结构安排 | 第16-18页 |
| 第二章 In(Al)_xGa_((1-x))N材料BARITT二极管的电学特性 | 第18-40页 |
| 1 引言 | 第18-19页 |
| 2 BARITT二极管的数学模型和工作原理 | 第19-24页 |
| 3 In(Al)_xGa_((1-x))N材料BARITT二极管的电学特性 | 第24-39页 |
| 3.1 In(Al)_xGa_((1-x))N材料BARITT二极管电流-电压关系特性 | 第24-26页 |
| 3.2 In(Al)_xGa_((1-x))N材料BARITT二极管单位面积电导与电压的关系特性 | 第26-28页 |
| 3.3 In(Al)_xGa_((1-x))N材料BARITT二极管低场区与基区的分界点与电压关系特性 | 第28-30页 |
| 3.4 In(Al)_xGa_((1-x))N材料BARITT二极管负阻特性 | 第30-32页 |
| 3.5 不同组分的In(Al)_xGa_((1-x))N材料BARITT二极管电导电纳关系图 | 第32-39页 |
| 4 小结 | 第39-40页 |
| 第三章 阴极结嵌入(p~+)nc-SiC埋层的(p~+)nc-Si/(n~-)c-Si/(n~+)nc-Si快恢复二极管 | 第40-48页 |
| 1 引言 | 第40-41页 |
| 2 实验过程 | 第41-43页 |
| 3 结果和讨论 | 第43-47页 |
| 3.1 制备薄膜的结构分析 | 第43页 |
| 3.2 静态电子特性 | 第43-46页 |
| 3.3 反向恢复行为 | 第46-47页 |
| 4 小结 | 第47-48页 |
| 第四章 总结与展望 | 第48-50页 |
| 1 总结 | 第48页 |
| 2 展望 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |
| 致谢 | 第54-56页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文 | 第56页 |
